發(fā)布時間：2023-04-01 06:43

　　提出了一種基于BSIM4的屏蔽柵溝槽MOSFET緊湊型模型.在直流模型中使用兩端電勢建立JFET區(qū)等效電阻模型,并引入電子擴散區(qū)等效電阻,解決了因忽視JFET區(qū)源端電勢導致的電流存在誤差的問題.在電容模型中,漏源電容模型在BSIM4的基礎上添加了屏蔽柵-漏等效電容模型,柵漏電容模型將柵漏偏置電壓修改為柵極同柵-漂移區(qū)重疊區(qū)末端節(jié)點的電勢差.使用泊松方程求解該節(jié)點電勢,并引入柵氧厚度因子k1、屏蔽柵氧化層厚度因子k2、等效柵-漂移區(qū)重疊長度Lovequ和等效屏蔽柵長LSHequ對柵和屏蔽柵的結(jié)構(gòu)進行等效,以簡化泊松方程的計算并確保該節(jié)點電勢曲線的光滑性.使用Verilog-A編寫模型程序,搭建實驗平臺測試屏蔽柵溝槽MOSFET的直流特性、電容特性和開關特性,模型仿真結(jié)果與測試數(shù)據(jù)有較好的擬合,驗證了所建模型的有效性.

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本文編號：3776645