相較于傳統(tǒng)的吸收層-電荷層-倍增層分離(SACM)的鍺/硅雪崩光電二極管(APD),水平APD器件結(jié)構(gòu)及工藝流程簡單,且從設計上避免了電荷層的雜質(zhì)濃度控制的難題。選用絕緣體上硅(SOI)晶圓片,基于0.18μm CMOS兼容工藝制備了一種高性能的波導集成水平鍺/硅APD。對APD的器件參數(shù)進行了晶圓級測試,包括暗電流、光響應度以及帶寬。測試結(jié)果表明,吸收區(qū)寬度為0.5μm、兩側(cè)間隔區(qū)寬度為0.8μm的器件在反偏電壓-27.5 V下光響應度高達75.89 A/W,間隔區(qū)寬度為0.3μm時雪崩擊穿電壓低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩擊穿電壓附近測得3 dB帶寬達20.06 GHz。

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【文章目錄】：
0 引言
1 器件結(jié)構(gòu)及制備工藝
2 器件測試結(jié)果與討論
3 結(jié)論



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