天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

納米復(fù)合Sn帽銅柱面陣列凸點(diǎn)的制備及其互連性能研究

發(fā)布時(shí)間:2017-05-18 20:14

  本文關(guān)鍵詞:納米復(fù)合Sn帽銅柱面陣列凸點(diǎn)的制備及其互連性能研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:隨著電子封裝技術(shù)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品逐漸向微型化、高集成度化和多功能化方向發(fā)展,面陣列銅柱凸點(diǎn)倒裝互連封裝技術(shù),因具有良好的導(dǎo)熱、導(dǎo)電、以及可提供更多的I/O端口數(shù)量而受到了廣泛關(guān)注。目前,銅柱凸點(diǎn)直接互連尚存在工藝實(shí)現(xiàn)上的困難,因此,工程應(yīng)用上常采用錫基焊料實(shí)現(xiàn)銅柱凸點(diǎn)與焊盤的互連,但是,這種互連方式因界面存在Cu-Sn原子間的互擴(kuò)散現(xiàn)象,使得互連接頭易產(chǎn)生嚴(yán)重的可靠性問題,特別是電子產(chǎn)品尺寸日益減小的趨勢(shì)下,導(dǎo)致Cu-Sn互擴(kuò)散問題變得更加突出。因而,如何抑制界面Cu-Sn互擴(kuò)散和界面IMC生長(zhǎng)問題成為提高面陣列銅柱凸點(diǎn)倒裝互連可靠性的關(guān)鍵技術(shù)問題。針對(duì)這一問題,論文采用納米α-Fe_2O_3粒子添加制備納米復(fù)合Sn帽銅柱面陣列凸點(diǎn),研究-65-150oC高低溫循環(huán)和150oC熱老化條件下,納米α-Fe_2O_3粒子對(duì)界面Cu-Sn互擴(kuò)散、界面IMC生長(zhǎng)以及互連接頭剪切強(qiáng)度影響規(guī)律和影響機(jī)制。研究結(jié)果表明,在高低溫循環(huán)條件下,隨著α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度的增加,復(fù)合焊料/銅柱界面金屬間化合物層的形貌逐漸由筍丁狀變得平緩,且其界面Cu6Sn5化合物的晶粒大小逐漸減小。添加適當(dāng)濃度的納米顆?梢悦黠@抑制界面IMC的生長(zhǎng),降低界面IMC層的厚度以及Cu3Sn層的生長(zhǎng)速率。同時(shí),不同納米添加濃度的復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)經(jīng)高低溫循環(huán)后,其接頭剪切強(qiáng)度均隨著循環(huán)次數(shù)的增加呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢(shì)。當(dāng)循環(huán)次數(shù)較低時(shí),添加濃度為0.024g/L的納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)互連接頭剪切強(qiáng)度最大;當(dāng)循環(huán)次數(shù)超過100次時(shí),添加濃度為0.032g/L的納米復(fù)合銅柱凸點(diǎn)互連接頭剪切強(qiáng)度最大。對(duì)比分析表明,添加0.024g/L的α-Fe_2O_3納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)互連接頭剪切強(qiáng)度隨高低溫循環(huán)次數(shù)變化的改變量較小,表明其更能適應(yīng)溫度的變化。通過吸附理論和第二相顆粒增強(qiáng)理論分別分析α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)界面IMC生長(zhǎng)和互連接頭剪切強(qiáng)度的影響機(jī)制。在高溫?zé)崂匣瘲l件下,不同添加濃度的α-Fe_2O_3納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)界面IMC層的厚度均隨著熱老化時(shí)間的延長(zhǎng)而呈現(xiàn)一直增加的趨勢(shì)。在相同的熱老化時(shí)間下,隨著α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度的增加,復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)界面IMC的厚度及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)速率常數(shù)均先減小后增加,互連接頭剪切強(qiáng)度則先增加后減小。當(dāng)納米顆粒的添加濃度為0.024 g/L時(shí),納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)界面IMC層的生長(zhǎng)速率常數(shù)最小,互連接頭剪切強(qiáng)度最大,具有良好的力學(xué)性能穩(wěn)定性。
【關(guān)鍵詞】:α-Fe_2O_3納米顆粒 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn) 高低溫循環(huán) 熱老化 金屬間化合物 剪切強(qiáng)度
【學(xué)位授予單位】:北京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN405;TB383.1
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • Abstract7-12
  • 第1章 緒論12-23
  • 1.1 課題背景及研究意義12-15
  • 1.2 銅柱凸點(diǎn)研究現(xiàn)狀15-19
  • 1.2.1 銅焊接概述15-17
  • 1.2.2 銅柱凸點(diǎn)可靠性研究現(xiàn)狀17-19
  • 1.3 Sn基鉛焊料研究現(xiàn)狀19-22
  • 1.3.1 Sn基無鉛焊料概述19
  • 1.3.2 焊料合金化研究現(xiàn)狀19-20
  • 1.3.3 納米顆粒增強(qiáng)復(fù)合焊料研究現(xiàn)狀20-21
  • 1.3.4 納米顆粒對(duì)復(fù)合焊料/銅界面微觀組織生長(zhǎng)的影響機(jī)理21-22
  • 1.4 本文主要研究?jī)?nèi)容22-23
  • 第2章 試驗(yàn)設(shè)計(jì)方案23-34
  • 2.1 α-Fe_2O_3納米顆粒的制備23-24
  • 2.1.1 Fe3O4納米顆粒的制備23
  • 2.1.2 Fe_2O_3納米顆粒的制備23-24
  • 2.2 納米復(fù)合Sn鍍層的制備24-27
  • 2.2.1 堿性電鍍鍍液的制備24-25
  • 2.2.2 納米復(fù)合Sn鍍層制備流程25-27
  • 2.3 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的制備27-29
  • 2.4 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的互連性能測(cè)試29-31
  • 2.4.1 高低溫循環(huán)性能測(cè)試29-30
  • 2.4.2 熱老化性能測(cè)試30-31
  • 2.5 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的接頭強(qiáng)度測(cè)試31-32
  • 2.6 試樣的觀察及分析測(cè)試方法32-34
  • 2.6.1 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)界面IMC的金相樣品的制備32
  • 2.6.2 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)表面IMC的金相樣品的制備32
  • 2.6.3 金相樣品的觀察手段和分析方法32-33
  • 2.6.4 界面IMC尺寸計(jì)算方法33-34
  • 第3章 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的表征34-39
  • 3.1 Fe_2O_3納米顆粒的形貌觀察與物相分析34-35
  • 3.2 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的形貌觀察和物相分析35-38
  • 3.3 本章小結(jié)38-39
  • 第4章 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的高低溫循環(huán)性能研究39-64
  • 4.1 不同循環(huán)次數(shù)下納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的微觀組織演變39-54
  • 4.1.1 界面IMC的形貌與成分分析39-41
  • 4.1.2 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)界面IMC生長(zhǎng)速率的影響規(guī)律41-49
  • 4.1.3 表面IMC的形貌與成分分析49-51
  • 4.1.4 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)表面IMC演變的影響規(guī)律51-53
  • 4.1.5 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)微觀組織演變的作用機(jī)理53-54
  • 4.2 不同循環(huán)次數(shù)下納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的接頭剪切強(qiáng)度研究54-61
  • 4.2.1 α-Fe_2O_3納米顆粒對(duì)接頭剪切強(qiáng)度的影響規(guī)律54-58
  • 4.2.2 α-Fe_2O_3納米顆粒對(duì)剪切斷口的影響規(guī)律58-61
  • 4.3 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)晶粒細(xì)化的作用機(jī)理61-62
  • 4.4 本章小結(jié)62-64
  • 第5章 納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的熱老化性能研究64-79
  • 5.1 不同循環(huán)次數(shù)下納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的微觀組織演變64-73
  • 5.1.1 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)界面IMC演變的影響規(guī)律64-72
  • 5.1.2 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對(duì)表面IMC演變的影響規(guī)律72-73
  • 5.2 不同循環(huán)次數(shù)下納米復(fù)合Sn帽銅柱凸點(diǎn)的接頭剪切強(qiáng)度研究73-77
  • 5.2.1 α-Fe_2O_3納米顆粒對(duì)接頭剪切強(qiáng)度的影響規(guī)律73-76
  • 5.2.2 α-Fe_2O_3納米顆粒對(duì)剪切斷口的影響規(guī)律76-77
  • 5.3 本章小結(jié)77-79
  • 結(jié)論79-81
  • 參考文獻(xiàn)81-87
  • 攻讀學(xué)位期間發(fā)表論文與研究成果清單87-88
  • 致謝88

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;骨架油封模具凸點(diǎn)加工專用裝置[J];特種橡膠制品;1983年04期

2 卡卡;Akayi;;當(dāng)凸點(diǎn)落入男人女人眼[J];瀟灑;2007年09期

3 王來;何大鵬;于大全;趙杰;馬海濤;;倒裝芯片中凸點(diǎn)與凸點(diǎn)下金屬層反應(yīng)的研究現(xiàn)狀[J];材料導(dǎo)報(bào);2005年09期

4 鄭宗林,吳懿平,吳豐順,張金松;電鍍方法制備錫鉛焊料凸點(diǎn)[J];華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2004年09期

5 朱桂兵;;晶圓級(jí)封裝的凸點(diǎn)印刷[J];絲網(wǎng)印刷;2011年10期

6 靖向萌;陳迪;黃闖;陳翔;劉景全;Gunter Engelmann;;面向未來需求的細(xì)間距電化學(xué)沉積金凸點(diǎn)工藝(英文)[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2008年01期

7 劉豫東,張鋼,崔建國(guó),馬莒生;織構(gòu)對(duì)銦凸點(diǎn)剪切強(qiáng)度的影響[J];紅外與毫米波學(xué)報(bào);2004年03期

8 賈紹義,吳松海,李錫源;菱錐凸點(diǎn)陶瓷波紋填料的性能研究[J];中國(guó)陶瓷;2000年05期

9 朱大鵬;王立春;胡永達(dá);羅樂;;化學(xué)鍍Ni-P在純錫凸點(diǎn)的應(yīng)用及界面研究[J];電子元件與材料;2006年11期

10 潘劍靈;黃明亮;趙寧;;分步法電鍍制備的Au-Sn共晶凸點(diǎn)的微觀組織[J];中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào);2012年07期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 羅馳;;淺談芯片凸點(diǎn)電鍍中的清潔生產(chǎn)措施[A];2007(第13屆)全國(guó)電子電鍍學(xué)術(shù)年會(huì)暨綠色電子制造技術(shù)論壇論文集[C];2007年

2 夏傳義;;微電子封裝中的凸點(diǎn)鍍覆技術(shù)[A];2002年全國(guó)電子電鍍年會(huì)論文集[C];2002年

3 Jong-Kai Lin;;倒裝芯片凸點(diǎn)的無鉛釬料膏再流溫區(qū)研究[A];2004中國(guó)電子制造技術(shù)論壇——無鉛焊接技術(shù)譯文集(下冊(cè))[C];2004年

4 畢京林;蔣進(jìn);孫江燕;李明;;高密度封裝用錫凸點(diǎn)的電沉積制備[A];2010中國(guó)·重慶第七屆表面工程技術(shù)學(xué)術(shù)論壇暨展覽會(huì)論文集[C];2010年

5 羅馳;劉建華;劉欣;;圓片級(jí)封裝的無鉛焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)研究[A];第十四屆全國(guó)混合集成電路學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2005年

6 Tadatomo Suga;Keisuke Saito;;一種新型的應(yīng)用無鉛焊膏的凸點(diǎn)工藝[A];2004中國(guó)電子制造技術(shù)論壇——無鉛焊接技術(shù)譯文集(下冊(cè))[C];2004年

7 王春青;;電子制造中的材料連接技術(shù)研究進(jìn)展[A];2003中國(guó)電子制造技術(shù)論壇暨展會(huì)暨第七屆SMT、SMD技術(shù)研討會(huì)論文集[C];2003年

8 秦紅波;宇文惠惠;李望云;張新平;;TSV結(jié)構(gòu)三維封裝微凸點(diǎn)互連的熱疲勞行為研究[A];中國(guó)力學(xué)大會(huì)——2013論文摘要集[C];2013年

9 況延香;朱頌春;;幾種常用的FC互連凸點(diǎn)制作工藝技術(shù)[A];全國(guó)第六屆SMT/SMD學(xué)術(shù)研討會(huì)論文集[C];2001年

10 劉玲;徐金洲;范繼長(zhǎng);;金凸點(diǎn)用于倒裝焊的可靠性研究[A];全國(guó)第六屆SMT/SMD學(xué)術(shù)研討會(huì)論文集[C];2001年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 記者 張嵐;德州儀器在蓉設(shè)12英寸晶圓凸點(diǎn)加工廠[N];四川日?qǐng)?bào);2014年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 劉曰濤;面向電子封裝的釘頭金凸點(diǎn)制備關(guān)鍵技術(shù)及其實(shí)驗(yàn)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2009年

2 賈磊;面向超細(xì)間距玻璃覆晶封裝的凸點(diǎn)植焊導(dǎo)電顆粒技術(shù)開發(fā)與研究[D];上海交通大學(xué);2014年

3 余春;釬料凸點(diǎn)互連結(jié)構(gòu)電遷移可靠性研究[D];上海交通大學(xué);2009年

4 盛鑫軍;玻璃覆晶的封裝互連性能檢測(cè)方法及倒裝設(shè)備研究[D];上海交通大學(xué);2014年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 唐文亮;倒裝疊層金釘頭凸點(diǎn)鍵合成型仿真及可靠性研究[D];桂林電子科技大學(xué);2015年

2 趙清華;基于多層電鍍法合金凸點(diǎn)的制備及可靠性研究[D];上海交通大學(xué);2013年

3 陳萍;納米復(fù)合Sn帽銅柱面陣列凸點(diǎn)的制備及其互連性能研究[D];北京理工大學(xué);2016年

4 孫博;面積陣列凸點(diǎn)的模板式噴印技術(shù)研究[D];華中科技大學(xué);2012年

5 刁慧;低碳鋼薄片上凸點(diǎn)制作工藝研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2007年

6 蔣進(jìn);三維電子封裝微凸點(diǎn)的電沉積制備及低溫固態(tài)互連技術(shù)研究[D];上海交通大學(xué);2010年

7 李艷;集成電路封裝柱形銅凸點(diǎn)在耦合場(chǎng)中原子遷移的數(shù)值研究[D];電子科技大學(xué);2010年

8 賴日飛;激光植球系統(tǒng)設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年

9 張金松;倒裝芯片技術(shù)中無鉛凸點(diǎn)電遷移研究[D];華中科技大學(xué);2004年

10 李鵬;基于埋置MEMS空氣隙的柔性凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與熱疲勞可靠性研究[D];桂林電子科技大學(xué);2009年


  本文關(guān)鍵詞:納米復(fù)合Sn帽銅柱面陣列凸點(diǎn)的制備及其互連性能研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號(hào):377061

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/377061.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶11380***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com