采用激光刻蝕實(shí)現(xiàn)了BaTiO₃薄膜上濺射Ag金屬薄膜電極的圖案化,并對(duì)激光刻蝕功率、激光刻蝕線間距以及點(diǎn)間距對(duì)圖案微槽深度、刻蝕邊緣整齊度和對(duì)底層BaTiO₃的影響進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,圖案刻蝕邊緣整齊度隨刻蝕功率先增大后減小,激光刻蝕功率為12 W時(shí)達(dá)到最優(yōu)值,薄膜電極圖案隨刻蝕線間距以及點(diǎn)間距減小而刻蝕更加充分,在刻蝕線間距以及點(diǎn)間距達(dá)到0.03mm時(shí)可以獲得具有理想刻蝕精度的圖案,且對(duì)BaTiO₃薄膜未造成損傷,為MLCC等薄膜電容器的低成本快速制備提供了一種新的思路。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)材料、設(shè)備及方法
2 結(jié)果與分析
    2.1 激光刻蝕功率的影響
    2.2 激光刻蝕次數(shù)的影響
    2.3 激光刻蝕線間距以及點(diǎn)間距的影響
    2.4 分析
3 結(jié)論



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