發(fā)布時(shí)間：2023-03-19 15:01

　　為了分析并精確預(yù)測半導(dǎo)體光放大器的性能,對InP-InGaAsP均勻掩埋的半導(dǎo)體光放大器建立了一種有效的數(shù)學(xué)模型,考慮了自發(fā)輻射與受激輻射之間的關(guān)系,實(shí)時(shí)模擬分析了偏置電流、輸入功率對增益和噪聲指數(shù)的影響。結(jié)果表明,在偏置電流為120mA、輸入功率為-10dBm時(shí),半導(dǎo)體光放大器的性能最佳。該模型能夠?qū)Π雽?dǎo)體光放大器的設(shè)計(jì)提供一定的借鑒。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
引 言
1 半導(dǎo)體光放大器的工作原理和特性
2 光放大器模型
    2.1 放大器結(jié)構(gòu)與材料模型
    2.2 信號場的行波方程
    2.3 自發(fā)輻射的行波方程
    2.4 載流子密度速率方程
3 數(shù)值模擬結(jié)果與分析
4 結(jié) 論



本文編號：3765457