介紹了GaN基pin雪崩探測器的制作過程和測試結(jié)果。制作的器件在71 V反向偏壓下發(fā)生雪崩,倍增因子達(dá)到5×10⁴。我們發(fā)現(xiàn),p層載流子濃度是影響器件性能的重要參數(shù)。結(jié)合電場強(qiáng)度分布的分析,本文提出了一種估算p層載流子濃度的方法,進(jìn)一步計算得到剛好雪崩擊穿時的最大電場值為2.6 MV/cm,與以往GaN雪崩器件所報道的研究結(jié)果相似。最后,霍爾測試和SIMS測量p層載流子濃度的結(jié)果與模型計算的估算值吻合。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experiments
    2.1 Materials
    2.2 Device Fabrication
3 Results and Discussion
4 Conclusion



本文編號：3760214