絕緣柵雙極型晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種結(jié)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管優(yōu)點(diǎn)的新型復(fù)合半導(dǎo)體器件,是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品。IGBT具有以下優(yōu)勢(shì):(1)高輸入阻抗,可采用通用低成本的驅(qū)動(dòng)線路;(2)高速開(kāi)關(guān)特性;(3)導(dǎo)通狀態(tài)低損耗。是一種適用于中、大功率應(yīng)用的電力電子器件,尤其適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)。本文主要研究IGBT用硅外延常壓生長(zhǎng)工藝,開(kāi)發(fā)IGBT用硅外延的自摻雜抑制技術(shù)和微缺陷控制方法。論文詳細(xì)闡述了在常壓設(shè)備條件下,IGBT用硅外延生長(zhǎng)的工藝優(yōu)化技術(shù),主要進(jìn)行了以下幾個(gè)方面的研究:1)從IGBT功率器件的結(jié)構(gòu)入手,找出IGBT功率器件用硅外延的關(guān)鍵控制要素;2)通過(guò)對(duì)摻雜機(jī)理、擴(kuò)散效應(yīng)和自摻雜效應(yīng)的研究,找到影響外延過(guò)渡區(qū)和電阻率均勻性的要素;3)用動(dòng)態(tài)溫控、動(dòng)態(tài)淀積速率來(lái)化解自摻雜效應(yīng);4)通過(guò)對(duì)N/N⁺/P⁺結(jié)構(gòu)理論模型的研究,得到N⁺層抑制高濃P型雜質(zhì)對(duì)N^-外延層自摻雜效應(yīng)的改...

【文章頁(yè)數(shù)】：61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 課題背景與意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 研究?jī)?nèi)容與設(shè)計(jì)指標(biāo)
第二章 IGBT的基本結(jié)構(gòu)及硅外延的生長(zhǎng)技術(shù)概述
    2.1 IGBT基本結(jié)構(gòu)
    2.2 IGBT基本工作原理
    2.3 IGBT用外延材料的要求
    2.4 硅外延技術(shù)概述
    2.5 本章小結(jié)
第三章 IGBT用硅外延的生長(zhǎng)技術(shù)研究
    3.1 厚度非均勻性的研究
    3.2 電阻率非均勻性的研究
    3.3 外延生長(zhǎng)設(shè)備
    3.4 外延材料優(yōu)化
    3.5 本章小結(jié)
第四章 實(shí)驗(yàn)及結(jié)果分析
    4.1 測(cè)試設(shè)備及測(cè)試原理
    4.2 MSA測(cè)試系統(tǒng)管理
    4.3 結(jié)果及分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：3741442