隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對(duì)電子元器件小型化、集成化的要求也越來(lái)越高。SrTiO3具有的高介電常數(shù)、高溫度穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)使其成為一種理想的電容器介質(zhì)候選材料。本論文從SrTiO3材料的合成工藝、摻雜改性著手,對(duì)SrTiO3基半導(dǎo)體陶瓷材料進(jìn)行了改性研究。首先對(duì)ST半導(dǎo)體陶瓷的原材料選擇與燒結(jié)進(jìn)行了研究。分別采用固相法與水熱法合成的ST粉體制備出了 ST半導(dǎo)體陶瓷材料。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)水熱法制備出的ST材料晶粒較小但更均勻,介電損耗更小,所需最低燒結(jié)溫度較固相法低,但制備出的材料介電常數(shù)較低,約為14000,而固相法制備出的陶瓷材料介電常數(shù)約為20000。以?xún)煞N方法合成的ST粉體混合為原料時(shí),制得的ST半導(dǎo)體陶瓷材料可以獲得較好的性能。水熱法合成的ST質(zhì)量分?jǐn)?shù)在固相法合成的ST總質(zhì)量的5-20%時(shí),陶瓷材料的致密度提升,介電損耗降低,絕緣電阻率提升,但材料的溫度穩(wěn)定性降低。其次研究了幾種摻雜劑對(duì)ST半導(dǎo)體陶瓷材料性能的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)Al2O3摻雜可以提高燒結(jié)出的ST半導(dǎo)體陶瓷材料的致密度,減少氣孔等缺陷的存在,降低材料的介電損耗,提升材料在低電壓下的絕緣電阻率。在Al2o3摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%時(shí),...

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 前言
    1.1 陶瓷電容器概述
        1.1.1 陶瓷電容器分類(lèi)
        1.1.2 陶瓷電容器發(fā)展趨勢(shì)
    1.2 ST粉體合成方法
        1.2.1 固相法
        1.2.2 水熱法
        1.2.3 化學(xué)共沉淀法
    1.3 ST半導(dǎo)體陶瓷材料的性能參數(shù)
        1.3.1 介電性能
        1.3.2 絕緣性能
        1.3.3 溫度穩(wěn)定性
    1.4 ST材料的研究現(xiàn)狀
        1.4.1 ST材料的非化學(xué)計(jì)量比研究
        1.4.2 ST材料的摻雜研究
        1.4.3 ST基半導(dǎo)體陶瓷電容器的研究
    1.5 本論文研究意義及內(nèi)容
        1.5.1 論文研究的意義
        1.5.2 論文研究的內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及分析
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料及設(shè)備
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及流程
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)流程
    2.3 樣品的性能測(cè)試
        2.3.1 結(jié)構(gòu)測(cè)試
        2.3.2 微觀形貌測(cè)試
        2.3.3 介電性能測(cè)試
        2.3.4 絕緣電阻測(cè)試
        2.3.5 溫度穩(wěn)定性測(cè)試
第三章 ST半導(dǎo)體陶瓷材料合成的研究
    3.1 合成方式與燒結(jié)溫度對(duì)ST半導(dǎo)體陶瓷材料的影響
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        3.1.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        3.1.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    3.2 不同原料混合合成的ST半導(dǎo)體陶瓷材料性能
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        3.2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    3.3 本章小結(jié)
第四章 ST半導(dǎo)體陶瓷材料摻雜的研究
    4.1 Al₂O₃摻雜對(duì)ST半導(dǎo)體陶瓷性能的影響
        4.1.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        4.1.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        4.1.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    4.2 MnCO₃摻雜對(duì)ST半導(dǎo)體陶瓷性能的影響
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        4.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        4.2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    4.3 Li₂SiO₃摻雜的研究
        4.3.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        4.3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        4.3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    4.4 本章小結(jié)
第五章 ST半導(dǎo)體陶瓷材料復(fù)合摻雜的研究
    5.1 Al-Si-Li復(fù)合摻雜的研究
        5.1.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        5.1.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        5.1.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    5.2 Al-Si-Li-Mn復(fù)合摻雜的研究
        5.2.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        5.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        5.2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    5.3 Ca-B-Si玻璃摻雜的研究
        5.3.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        5.3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        5.3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
    6.1 文章結(jié)論
    6.2 工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號(hào)：3738251