采用超聲波精細霧化施液對鈮酸鋰晶片進行了化學機械拋光（CMP）實驗,研究拋光液復配參數(shù)（二氧化硅磨料含量、氧化劑含量、絡合劑含量、表面活性劑含量和pH值）對拋光效果的影響,以材料去除速率和表面粗糙度為評價指標,根據(jù)正交試驗結(jié)果得到最優(yōu)組分的拋光液,分析鈮酸鋰的去除機理,并與傳統(tǒng)拋光進行對比。結(jié)果表明:二氧化硅磨料和氧化劑對鈮酸鋰晶片拋光效果影響顯著。當二氧化硅磨料質(zhì)量分數(shù)為20%、過氧化氫質(zhì)量分數(shù)為2.5%、檸檬酸質(zhì)量分數(shù)為1.6%、pH值為11和聚乙烯吡咯烷酮質(zhì)量分數(shù)為0.4%時,材料去除速率為401.52 nm/min,表面粗糙度為1.04 nm。在相同的拋光工藝參數(shù)下,傳統(tǒng)CMP的材料去除速率為427.68 nm/min,表面粗糙度為1.12 nm;超聲精細霧化拋光效果與傳統(tǒng)CMP效果相近,但霧化施液方式的拋光液用量低,是傳統(tǒng)CMP的1/7。 

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 實驗材料及方法
    1.2 試驗設計
2 結(jié)果與討論
    2.1 試驗結(jié)果
    2.2 霧化CMP材料去除機理分析
    2.3 試驗結(jié)果及分析
    2.4 確定拋光液最優(yōu)組分
    2.5 拋光對比實驗
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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