發(fā)布時(shí)間：2022-11-06 14:36

　　現(xiàn)代電子元器件的高速發(fā)展,以及磁性元器件小型化、集成化需求日益增長,推動(dòng)了納米級磁性功能薄膜材料的研究。以高飽和磁致伸縮系數(shù)、低矯頑力的FeGaB薄膜材料為研究基礎(chǔ),以提高薄膜軟磁性能為目標(biāo),使用脈沖激光沉積系統(tǒng)制備了Fe Ga B/Al₂O₃復(fù)合多層薄膜,發(fā)現(xiàn)在350℃的生長環(huán)境下,未退火的樣品成膜質(zhì)量較好,但軟磁性能一般。為了提高磁性能,進(jìn)行一組不同退火時(shí)間下的退火實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)樣品的鐵磁共振線寬較大,且退火時(shí)間對吸收峰強(qiáng)度影響較大。 

【文章頁數(shù)】：3 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



本文編號：3703675