光電探測(cè)器,例如光電倍增管、Si光電二極管、III/V材料的光電探測(cè)器已廣泛應(yīng)用于科學(xué)儀器、光通信、顯示成像、環(huán)境監(jiān)測(cè)、安全監(jiān)測(cè)等。然而,隨著高性能光電探測(cè)器的快速發(fā)展,人們對(duì)靈敏度高,體積小,功耗低的光電探測(cè)器的需求越來(lái)越大。與傳統(tǒng)體材料相比,納米結(jié)構(gòu)光電探測(cè)器因其體積小,靈敏度高,光電轉(zhuǎn)換性能優(yōu)異而引起人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。本文研究了P型與PN型變組分Al Ga As/Ga As納米線光電探測(cè)器的光電探測(cè)特性,Al組分的變化引起了Al Ga As禁帶寬度的變化從而形成了內(nèi)建電場(chǎng),這可以極大的提高半導(dǎo)體的載流子收集效率。通過(guò)建立半導(dǎo)體漂移擴(kuò)散模型,然后分別改變?nèi)肷涔獠ㄩL(zhǎng),Al組分,納米線長(zhǎng)度,用有限體積法（FVM）仿真計(jì)算了P型和PN型變組分Al Ga As/Ga As納米線光電探測(cè)器的光電流和積分靈敏度。結(jié)果顯示,即使在零偏壓情況下軸向Al組分變化引起的內(nèi)建電場(chǎng)可以加強(qiáng)載流子收集效率,從而大大提高光電探測(cè)效率,PN型光電探測(cè)器因PN結(jié)的存在,其光電探測(cè)性能更優(yōu)于P型。另外不同電極接觸方式也會(huì)影響光電探測(cè)器的光電探測(cè)特性,本文中根據(jù)電極的基本接觸形式考慮了四種結(jié)構(gòu),分別是歐姆-歐姆（O... 

【文章頁(yè)數(shù)】：60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 光電探測(cè)器研究現(xiàn)狀
        1.2.1 傳統(tǒng)光電轉(zhuǎn)換技術(shù)
        1.2.2 納米線光電探測(cè)器
    1.3 本文研究的背景和意義
    1.4 本文研究的主要工作
    1.5 論文結(jié)構(gòu)安排
2 P型變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測(cè)器光電特性研究
    2.1 理論模型
    2.2 P型變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測(cè)器仿真及結(jié)果分析
        2.2.1 O-O器件
        2.2.2 O-S器件
        2.2.3 S-O器件
        2.2.4 S-S器件
    2.3 本章小結(jié)
3 PN型AlGaAs/GaAs納米線光電探測(cè)器光電特性研究
    3.1 理論模型
    3.2 PN型變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測(cè)器仿真及結(jié)果分析
        3.2.1 變組分影響
        3.2.2 變摻雜和溫度影響
    3.3 本章小結(jié)
4 變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測(cè)器件制備
    4.1 變組分AlGaAs/GaAs納米線陣列制備
        4.1.1 變組分AlGaAs/GaAs納米線陣列的研究意義
        4.1.2 變組分AlGaAs/GaAs納米線陣列制備工藝
    4.2 光電探測(cè)器件制備
        4.2.1 襯底的選擇與清洗
        4.2.2 單根納米線剝離
        4.2.3 光刻
        4.2.4 沉積電極
    4.3 本章小結(jié)
5 結(jié)束語(yǔ)
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]具有寬光譜響應(yīng)的單根GaSb納米線基室溫光電探測(cè)器（英文）[J]. 羅濤,梁博,劉哲,謝旭明,婁正,沈國(guó)震.  Science Bulletin. 2015(01)
[2]Design and simulation of a novel CMOS superimposed photodetector[J]. 康玉琢,毛陸虹,肖新東,謝生,張世林.  Optoelectronics Letters. 2012(04)
[3]GaAs真空電子源衰減模型研究[J]. 鄒繼軍,張益軍,楊智,常本康.  物理學(xué)報(bào). 2011(01)
[4]二氧化硅的干法刻蝕工藝研究[J]. 嚴(yán)劍飛,袁凱,太惠玲,吳志明.  微處理機(jī). 2010(02)
[5]GaAs光電陰極制備過(guò)程中多信息量測(cè)試技術(shù)研究[J]. 鄒繼軍,錢蕓生,常本康,王惠,王世允.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2006(03)
[6]ICP刻蝕技術(shù)研究[J]. 鄭志霞,馮勇建,張春權(quán).  廈門大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2004(S1)
[7]砷化鎵材料發(fā)展和市場(chǎng)前景[J]. 陳堅(jiān)邦.  稀有金屬. 2000(03)
[8]夜視像增強(qiáng)器(藍(lán)光延伸與近紅外延伸光陰極)的近期進(jìn)展[J]. 周立偉.  光學(xué)技術(shù). 1998(02)
[9]光電材料動(dòng)態(tài)自動(dòng)光譜測(cè)試儀的研究與應(yīng)用[J]. 常本康,房紅兵,劉元震.  真空科學(xué)與技術(shù). 1996(05)

博士論文
[1]第三代像增強(qiáng)器研究[D]. 李曉峰.中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所 2001

碩士論文
[1]變組分AlxGa1-xAs/GaAs光電發(fā)射材料研究[D]. 江少濤.東華理工大學(xué) 2015
[2]GaAs納米線陣列光陰極制備機(jī)理及其光譜響應(yīng)仿真[D]. 程瀅.東華理工大學(xué) 2015
[3]Ⅲ-Ⅴ族（GaN）和Ⅱ-Ⅵ族（ZnTe）半導(dǎo)體材料的制備及光學(xué)特性研究[D]. 張磊.山東大學(xué) 2013
[4]離子注入法制備銀摻雜氧化鋅納米線陣列及發(fā)光性質(zhì)研究[D]. 陳賢.南昌大學(xué) 2012
[5]金離子注入氧化鋅薄膜引起的改性研究[D]. 吳培.天津大學(xué) 2008
[6]離子注入摻雜及退火處理對(duì)ZnO薄膜性能影響的研究[D]. 袁兆林.電子科技大學(xué) 2008
[7]氮離子注入氧化鋅薄膜引起的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)變化研究[D]. 張曉東.天津大學(xué) 2007



本文編號(hào)：3681668