本文制備并研究了肖特基型β-Ga₂O₃日盲紫外光電探測器.結果表明:通過脈沖激光沉積外延生長的β-Ga₂O₃的（-201）晶面X射線衍射峰半高寬僅為36 arcsec,表現(xiàn)出了高的晶體質(zhì)量;光暗條件下的I-V曲線顯示所制備的器件具有明顯的肖特基整流特性,在-5V偏壓下暗電流保持在0.1nA量級,正向導通電壓為1.5V;光電流譜顯示器件在240nm處存在顯著的峰值響應,并在260nm左右呈現(xiàn)陡峭的截止邊,日盲紫外的帶內(nèi)帶外抑制比達到1000.同時,也研究了不同摻雜對Ga₂O₃晶體質(zhì)量的影響. 

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【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結果與討論
4 結論



本文編號：3673185