天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

量子點發(fā)光二極管的界面調(diào)控研究

發(fā)布時間:2022-02-21 15:09
  膠體量子點(colloidal quantum dot,簡稱QD)發(fā)光材料具有獨特的發(fā)光波長尺寸依賴性、發(fā)光峰窄、色純度高、熒光量子產(chǎn)率高以及化學穩(wěn)定性強等優(yōu)點,被廣泛應用于光電領(lǐng)域。其中,量子點發(fā)光二極管(Quantum dot light-emitting diodes,簡稱QLEDs)由于其具有優(yōu)異的光電性能,包括壽命長、可溶液加工、生產(chǎn)成本低、柔性可彎曲、輕薄等特點,成為一種適用于制備大面積、廣色域、超薄、柔性顯示的新型顯示材料。本論文以提高QLEDs器件性能為目標,重點研究QLEDs異質(zhì)結(jié)界面的載流子行為,在此基礎上通過采用界面修飾以及量子點原位配體修飾的方法,分別調(diào)節(jié)氧化鋅(zinc oxide,簡稱ZnO)和QD的載流子傳輸過程,有效地調(diào)控ITO/ZnO及ZnO/QD界面的電子注入行為,制備了基于CdSe/ZnS和CdZnS/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點的紅、綠、藍三基色高效、高色純度QLEDs。本論文主要研究以下兩方面內(nèi)容:針對倒裝結(jié)構(gòu)的寬帶隙藍光CdZnS/ZnS QLEDs中陰極電子注入困難以及ZnO表面缺陷影響光譜質(zhì)量的問題,選取了一種水/醇溶性界面材料聚醚酰亞胺(Pol... 

【文章來源】:華南理工大學廣東省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:72 頁

【學位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 半導體量子點光電性質(zhì)
        1.2.1 量子限域效應
        1.2.2 表面效應
        1.2.3 量子點的發(fā)光機理與光學特性
    1.3 基于量子點的發(fā)光二極管器件及其發(fā)展現(xiàn)狀
        1.3.1 量子點發(fā)光二極管工作原理
        1.3.2 量子點發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)
        1.3.3 量子點發(fā)光二極管的界面問題
    1.4 本論文的主要研究內(nèi)容與創(chuàng)新點
第二章 理論基礎及實驗研究方法
    2.1 引言
    2.2 異質(zhì)結(jié)界面調(diào)控
        2.2.1 界面能級匹配
        2.2.2 界面調(diào)控方法
    2.3 主要實驗儀器
    2.4 量子點發(fā)光二極管制備與測試
        2.4.1 量子點發(fā)光二極管制備工藝
        2.4.2 量子點發(fā)光二極管性能評價與測試方法
    2.5 常用表征技術(shù)
        2.5.1 開爾文探針
        2.5.2 原子力顯微鏡
        2.5.3 時間分辨熒光光譜
第三章 藍光量子點發(fā)光二極管的性能改進
    3.1 引言
        3.1.1 藍光量子點發(fā)光二極管的研究現(xiàn)狀
        3.1.2 含脂肪胺基團界面材料
    3.2 基于PEI陰極界面的倒裝藍光量子點發(fā)光二極管制備與測試
        3.2.1 實驗材料
        3.2.2 制備工藝與測試方法
    3.3 基于PEI陰極界面的高效倒裝藍光量子點發(fā)光二極管性能與分析
        3.3.1 QLED器件光電性能
        3.3.2 PEI修飾層對ZnO電子傳輸層光電性質(zhì)及形貌的影響研究
        3.3.3 ITO陰極界面及QD/ZnO界面的能級變化
        3.3.4 QD/ZnO界面的電荷轉(zhuǎn)移
    3.4 本章小結(jié)
第四章 基于醇胺類配體原位修飾的QD/ZnO界面調(diào)控方法及其在正裝QLEDs中的應用研究
    4.1 引言
    4.2 基于醇胺類配體的原位修飾工藝及其在正裝QLEDs中的應用
        4.2.1 實驗材料
        4.2.2 制備工藝與測試方法
    4.3 實驗結(jié)果與分析
        4.3.1 乙醇胺原位修飾對于QD薄膜光電特性的影響
        4.3.2 乙醇胺原位修飾對于ZnO薄膜形貌的影響
        4.3.3 正裝RGBQLED光電性能
        4.3.4 基于乙醇胺原位修飾的QD/ZnO界面調(diào)控機制與方法
    4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的研究成果
致謝
附件


【參考文獻】:
期刊論文
[1]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning.  National Science Review. 2017(02)



本文編號:3637511

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3637511.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶c3958***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com