采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)生長了InAs量子點(diǎn)及不同組分和厚度的量子點(diǎn)低溫蓋層,采用光致熒光光譜（PL）和時間分辨熒光發(fā)射譜（TRPL）研究了量子點(diǎn)在不同低溫蓋層下的熒光發(fā)光性質(zhì)。對比了常規(guī)方法和速率調(diào)制外延（FME）法生長GaAs低溫蓋層的量子點(diǎn)質(zhì)量,結(jié)果表明,FME法生長低溫蓋層的量子點(diǎn)熒光發(fā)射譜光強(qiáng)更強(qiáng)且發(fā)光壽命達(dá)到0.6ns,明顯優(yōu)于普通方法生長低溫蓋層的量子點(diǎn)發(fā)光壽命。 

【文章來源】：半導(dǎo)體光電. 2020,41(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]不同蓋層對InAs/GaAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響[J]. 田芃,黃黎蓉,費(fèi)淑萍,余奕,潘彬,徐巍,黃德修.  物理學(xué)報. 2010(08)
[2]InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點(diǎn)發(fā)光性質(zhì)的影響[J]. 孔令民,姚建明,吳正云.  半導(dǎo)體光電. 2008(03)



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