低相位噪聲、寬頻域CMOS集成壓控振蕩器設(shè)計
發(fā)布時間:2022-02-13 07:47
隨著進入信息化社會,無線通信系統(tǒng)逐漸成為人們的關(guān)注焦點,越來越受到人們的關(guān)注。電子通信技術(shù)發(fā)展到今天,集成化高、性能優(yōu)異、適用范圍廣、工作狀態(tài)穩(wěn)定已成為檢測電子產(chǎn)品是否優(yōu)秀的重要指標(biāo),而壓控振蕩器作為無線收發(fā)機的核心部件,對于壓控振蕩器的性能指標(biāo)要求日益嚴格。壓控振蕩器用于產(chǎn)生本振信號,實現(xiàn)信號的信道選擇和頻譜搬移,廣泛應(yīng)用于無線終端通信,如無線電話、導(dǎo)航設(shè)備等產(chǎn)品中,其相位噪聲性能和調(diào)諧范圍直接決定了整個通信系統(tǒng)的性能優(yōu)劣與否。隨著CMOS工藝的不斷發(fā)展與射頻技術(shù)的提高,在芯片集成化的研究進程中,人們逐漸實現(xiàn)了將壓控振蕩器和其余電路集成到同一個芯片上,但與此同時,人們不得不面對基于CMOS工藝制作的集成電感品質(zhì)因素低,相位噪聲不理想,可變電容的非線性特性引起集成壓控振蕩器上鎖相環(huán)電路的不穩(wěn)定等現(xiàn)實問題。故而設(shè)計一款低相位噪聲,寬調(diào)諧頻域的壓控振蕩器在今天具有十分重要的實用意義。本文開篇介紹壓控振蕩器的重要作用及其發(fā)展歷程,然后對其基礎(chǔ)知識進行必要的介紹,在此基礎(chǔ)上對設(shè)計壓控振蕩器的一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)和性能進行分析。本文在分析壓控振蕩器相位噪聲線性時不變模型和線性時變模型的基礎(chǔ)上,采用交...
【文章來源】:湖南大學(xué)湖南省211工程院校985工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:61 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
收發(fā)機原理
產(chǎn)生本機振蕩信號,它不需要外部激勵信號,通過自身的電路就可轉(zhuǎn)換為特定頻率的信號,從而為電路系統(tǒng)提供需要的振蕩信號。因器是一種能量轉(zhuǎn)換裝置。本章第一步簡單介紹 VCO 的種類、分析紹壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)和設(shè)計約束,最后介紹振蕩回路的核心 RLC 控振蕩器模型分類在普遍應(yīng)用的壓控振蕩器分為兩類,分別為環(huán)形振蕩器(Ring Osc以及電容電感壓控振蕩器(LC Tank Oscillator,LC VCO)[22]。環(huán)形2.1 所示,環(huán)形振蕩器利用單級放大器在工作時產(chǎn)生 180°相移的特性單機放大器級聯(lián)形成一個電路回路,從而成為一個振蕩器,環(huán)形振率受各個單級放大器的延時控制。環(huán)形振蕩器的優(yōu)點是易于集成,范圍實現(xiàn)調(diào)諧,但其缺點也很明顯,相位噪聲性能很差,所以在對越來越嚴苛的今天,環(huán)形振蕩器的應(yīng)用范圍便十分狹窄,經(jīng)常使用要求寬松的電路中,如時鐘產(chǎn)生電路。
圖 2.2 雙端負反饋系統(tǒng) H(s)為系統(tǒng)的開環(huán)增益。在式(2.1)中,當(dāng) 1+H(s)為 0 時,即-1 時,系統(tǒng)的閉環(huán)增益為無窮大,此時只要電路有很小的輸入大,所以該反饋電路會把0 頻率處的噪聲放大無窮倍。這種現(xiàn)運算放大器中是要避免的,但對于壓控振蕩器這卻是正常工作線性系統(tǒng)要產(chǎn)生震蕩所具備的條件為:(j)10H () 180 0H j 是著名的“巴克豪森判據(jù)”,式(2.2)規(guī)定了系統(tǒng)負反饋的開環(huán)式(2.3)規(guī)定了系統(tǒng)負反饋的開環(huán)相移為 180 度。在實際電路及工藝的影響,可能會導(dǎo)致滿足巴克豪森判據(jù)的系統(tǒng)無法起振常把環(huán)路增益提高到理論值的 2~3 倍。端能量補償系統(tǒng)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]一種寬頻帶CMOS高速鎖相環(huán)[J]. 王蘭,胡剛毅,張瑞濤,胡云斌. 微電子學(xué). 2018(01)
[2]一種新型低功耗C類壓控振蕩器設(shè)計[J]. 趙陽,袁圣越,趙辰,田彤. 電子設(shè)計工程. 2018(02)
[3]一種低壓低相位噪聲的C類VCO[J]. 喬帥領(lǐng),徐衛(wèi)林,段吉海,韋雪明,韋保林. 微電子學(xué). 2017(06)
[4]一種改進的C類VCO振幅模型[J]. 喬帥領(lǐng),徐衛(wèi)林,段吉海,韋雪明,韋保林. 桂林電子科技大學(xué)學(xué)報. 2017(05)
[5]基于可調(diào)諧LC諧振回路的雙頻VCO[J]. 戚玉華,沈釗. 現(xiàn)代雷達. 2017(08)
[6]A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process[J]. Qian ZHOU,Yan HAN,Shifeng ZHANG,Xiaoxia HAN,Lu JIE,Ray C.C.CHEUNG,Guangtao FENG. Science China(Information Sciences). 2017(08)
[7]一種低功耗C類LC壓控振蕩器[J]. 王偉,查歡,林福江,刁盛錫. 微電子學(xué). 2017(01)
[8]20 GHz壓控振蕩器的設(shè)計與實現(xiàn)[J]. 曹衛(wèi)東,侯晨龍,郭金星,宋奕霖,王自強,姜漢鈞,王志華. 微電子學(xué). 2015(05)
[9]寬帶LC壓控振蕩器的相位噪聲優(yōu)化設(shè)計[J]. 丁理想,吳洪江,盧東旭,谷江,趙永瑞. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(02)
[10]低相位噪聲壓控振蕩器的設(shè)計及仿真[J]. 梁爽,曹娟. 微電子學(xué)與計算機. 2014(07)
博士論文
[1]電感電容壓控振蕩器[D]. 唐長文.復(fù)旦大學(xué) 2004
碩士論文
[1]基于65nm CMOS工藝低能耗低噪聲LC振蕩器研究與設(shè)計[D]. 王偉.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2016
[2]低相位噪聲CMOS集成壓控振蕩器的設(shè)計[D]. 謝海明.湖南大學(xué) 2015
[3]低相噪高線性壓控振蕩器研究與實現(xiàn)[D]. 梁志強.華南理工大學(xué) 2013
[4]基于CMOS工藝45GHz寬帶壓控振蕩器研究與設(shè)計[D]. 謝哲新.電子科技大學(xué) 2013
[5]寬帶CMOS壓控振蕩器研究及設(shè)計[D]. 曹旭.杭州電子科技大學(xué) 2013
[6]1.6GHz3.2GHz 0.18μm CMOS寬帶低噪聲壓控振蕩器設(shè)計[D]. 周功孩.華中科技大學(xué) 2013
[7]低相噪寬帶CMOS集成電感電容壓控振蕩器的分析與設(shè)計[D]. 張俊波.上海交通大學(xué) 2008
[8]高性能CMOS壓控振蕩器的設(shè)計[D]. 王文兵.安徽大學(xué) 2005
本文編號:3622800
【文章來源】:湖南大學(xué)湖南省211工程院校985工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:61 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
收發(fā)機原理
產(chǎn)生本機振蕩信號,它不需要外部激勵信號,通過自身的電路就可轉(zhuǎn)換為特定頻率的信號,從而為電路系統(tǒng)提供需要的振蕩信號。因器是一種能量轉(zhuǎn)換裝置。本章第一步簡單介紹 VCO 的種類、分析紹壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)和設(shè)計約束,最后介紹振蕩回路的核心 RLC 控振蕩器模型分類在普遍應(yīng)用的壓控振蕩器分為兩類,分別為環(huán)形振蕩器(Ring Osc以及電容電感壓控振蕩器(LC Tank Oscillator,LC VCO)[22]。環(huán)形2.1 所示,環(huán)形振蕩器利用單級放大器在工作時產(chǎn)生 180°相移的特性單機放大器級聯(lián)形成一個電路回路,從而成為一個振蕩器,環(huán)形振率受各個單級放大器的延時控制。環(huán)形振蕩器的優(yōu)點是易于集成,范圍實現(xiàn)調(diào)諧,但其缺點也很明顯,相位噪聲性能很差,所以在對越來越嚴苛的今天,環(huán)形振蕩器的應(yīng)用范圍便十分狹窄,經(jīng)常使用要求寬松的電路中,如時鐘產(chǎn)生電路。
圖 2.2 雙端負反饋系統(tǒng) H(s)為系統(tǒng)的開環(huán)增益。在式(2.1)中,當(dāng) 1+H(s)為 0 時,即-1 時,系統(tǒng)的閉環(huán)增益為無窮大,此時只要電路有很小的輸入大,所以該反饋電路會把0 頻率處的噪聲放大無窮倍。這種現(xiàn)運算放大器中是要避免的,但對于壓控振蕩器這卻是正常工作線性系統(tǒng)要產(chǎn)生震蕩所具備的條件為:(j)10H () 180 0H j 是著名的“巴克豪森判據(jù)”,式(2.2)規(guī)定了系統(tǒng)負反饋的開環(huán)式(2.3)規(guī)定了系統(tǒng)負反饋的開環(huán)相移為 180 度。在實際電路及工藝的影響,可能會導(dǎo)致滿足巴克豪森判據(jù)的系統(tǒng)無法起振常把環(huán)路增益提高到理論值的 2~3 倍。端能量補償系統(tǒng)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]一種寬頻帶CMOS高速鎖相環(huán)[J]. 王蘭,胡剛毅,張瑞濤,胡云斌. 微電子學(xué). 2018(01)
[2]一種新型低功耗C類壓控振蕩器設(shè)計[J]. 趙陽,袁圣越,趙辰,田彤. 電子設(shè)計工程. 2018(02)
[3]一種低壓低相位噪聲的C類VCO[J]. 喬帥領(lǐng),徐衛(wèi)林,段吉海,韋雪明,韋保林. 微電子學(xué). 2017(06)
[4]一種改進的C類VCO振幅模型[J]. 喬帥領(lǐng),徐衛(wèi)林,段吉海,韋雪明,韋保林. 桂林電子科技大學(xué)學(xué)報. 2017(05)
[5]基于可調(diào)諧LC諧振回路的雙頻VCO[J]. 戚玉華,沈釗. 現(xiàn)代雷達. 2017(08)
[6]A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process[J]. Qian ZHOU,Yan HAN,Shifeng ZHANG,Xiaoxia HAN,Lu JIE,Ray C.C.CHEUNG,Guangtao FENG. Science China(Information Sciences). 2017(08)
[7]一種低功耗C類LC壓控振蕩器[J]. 王偉,查歡,林福江,刁盛錫. 微電子學(xué). 2017(01)
[8]20 GHz壓控振蕩器的設(shè)計與實現(xiàn)[J]. 曹衛(wèi)東,侯晨龍,郭金星,宋奕霖,王自強,姜漢鈞,王志華. 微電子學(xué). 2015(05)
[9]寬帶LC壓控振蕩器的相位噪聲優(yōu)化設(shè)計[J]. 丁理想,吳洪江,盧東旭,谷江,趙永瑞. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(02)
[10]低相位噪聲壓控振蕩器的設(shè)計及仿真[J]. 梁爽,曹娟. 微電子學(xué)與計算機. 2014(07)
博士論文
[1]電感電容壓控振蕩器[D]. 唐長文.復(fù)旦大學(xué) 2004
碩士論文
[1]基于65nm CMOS工藝低能耗低噪聲LC振蕩器研究與設(shè)計[D]. 王偉.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2016
[2]低相位噪聲CMOS集成壓控振蕩器的設(shè)計[D]. 謝海明.湖南大學(xué) 2015
[3]低相噪高線性壓控振蕩器研究與實現(xiàn)[D]. 梁志強.華南理工大學(xué) 2013
[4]基于CMOS工藝45GHz寬帶壓控振蕩器研究與設(shè)計[D]. 謝哲新.電子科技大學(xué) 2013
[5]寬帶CMOS壓控振蕩器研究及設(shè)計[D]. 曹旭.杭州電子科技大學(xué) 2013
[6]1.6GHz3.2GHz 0.18μm CMOS寬帶低噪聲壓控振蕩器設(shè)計[D]. 周功孩.華中科技大學(xué) 2013
[7]低相噪寬帶CMOS集成電感電容壓控振蕩器的分析與設(shè)計[D]. 張俊波.上海交通大學(xué) 2008
[8]高性能CMOS壓控振蕩器的設(shè)計[D]. 王文兵.安徽大學(xué) 2005
本文編號:3622800
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