Au/Bi摻雜碲鎘汞材料的第一性原理研究
發(fā)布時(shí)間:2022-01-16 15:11
近年來(lái),隨著碲鎘汞紅外焦平面技術(shù)的不斷發(fā)展,其結(jié)構(gòu)和光電特性引起了人們的廣泛關(guān)注。但是,器件的探測(cè)精度仍然受到材料的電學(xué)性能、面積和均勻性等參數(shù)的限制。碲鎘汞具有本征載流子濃度低、表面態(tài)密度低、光學(xué)吸收系數(shù)大等優(yōu)點(diǎn),是一種重要且常見(jiàn)的紅外探測(cè)器材料。碲鎘汞n型摻雜可以很容易的通過(guò)In原位取代Hg獲得,并能獲得很高載流子濃度。但是,目前可控的碲鎘汞p型摻雜仍然是碲鎘汞探測(cè)器技術(shù)發(fā)展的瓶頸。Au在碲鎘汞材料中擴(kuò)散系數(shù)較低,表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性,并且Au雜質(zhì)在碲鎘汞的價(jià)帶頂端形成雜質(zhì)能級(jí),Au充當(dāng)受主,因此,Au是一種有效的p型摻雜劑。Cd的組分x對(duì)碲鎘汞材料的電子結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)具有重要的影響。但是Au摻雜碲鎘汞材料的成鍵機(jī)制、電學(xué)性質(zhì)與Cd的組分x之間的關(guān)系仍未得到深入的研究。V族元素Bi,在碲鎘汞中表現(xiàn)出兩性的摻雜特性,即取代陽(yáng)離子時(shí)為n型摻雜,取代陰離子時(shí)為p型摻雜。因此采用第一性原理計(jì)算的方法研究Bi在碲鎘汞材料中的摻雜效應(yīng)非常必要。本文采用基于密度泛函的第一性原理計(jì)算方法,采用先進(jìn)的雜化泛函方法,對(duì)Hg1-xCdxTe、Au摻雜Hg1-xCdxTe (x=0.25, x=0.5, x...
【文章來(lái)源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
ABSTRACT
符號(hào)說(shuō)明
第一章 緒論
1.1 紅外探測(cè)材料簡(jiǎn)介
1.2 HgCdTe材料的相關(guān)內(nèi)容
1.2.1 HgCdTe材料概述
1.2.2 碲鎘汞材料的制備
1.2.3 碲鎘汞材料的應(yīng)用
1.3 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 分子模擬技術(shù)
2.1 引言
2.2 分子模擬技術(shù)的常見(jiàn)方法
2.2.1 Monte Carlo方法(MC)
2.2.2 分子動(dòng)力學(xué)方法(MD)
2.2.3 分子力學(xué)方法(MM)
2.2.4 量子力學(xué)方法(QM)
2.2.5 介觀模擬方法(Mesoscale Simulation)
2.3 第一性原理計(jì)算理論
2.3.1 第一性原理計(jì)算
2.3.2 薛定諤方程
2.3.3 密度泛函理論(DFT)
2.3.3.1 Hohenberg-Kohn定理
2.3.3.2 Kohn-Sham方程
2.3.3.3 交換關(guān)聯(lián)能的近似方法
2.4 VASP(Vienna Ab-inito Simulation Package)軟件包
2.4.1 贗勢(shì)
2.4.2 VASP的使用
第三章 Au摻雜碲鎘汞材料的第一性原理研究
3.1 引言
3.2 計(jì)算方法和模型
3.3 結(jié)果和討論
3.3.1 原子弛豫
3.3.2 成鍵機(jī)制
3.3.3 電學(xué)性質(zhì)
3.4 本章小結(jié)
第四章 Bi摻雜Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te的第一性原理研究
4.1 引言
4.2 計(jì)算方法
4.3 結(jié)果和討論
4.3.1 Bi摻雜Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te的結(jié)構(gòu)弛豫分析
4.3.2 成鍵機(jī)制
4.3.3 電學(xué)性質(zhì)
4.4 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與展望
5.1 論文完成的工作
5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文和參加科研情況
學(xué)位論文評(píng)閱及答辯情況隸表
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]AsHg與VHg在碲鎘汞中摻雜行為第一性原理研究[J]. 黃燕,王子言,段鶴,陳效雙,孫立忠,陸衛(wèi). 中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2014(04)
[2]CdTe和HgTe電子結(jié)構(gòu)的緊束縛模型計(jì)算[J]. 廖云龍,趙紀(jì)軍. 原子與分子物理學(xué)報(bào). 2010(04)
[3]紅外探測(cè)技術(shù)在軍事上的應(yīng)用[J]. 王力民,張蕊,林一楠,徐世錄. 紅外與激光工程. 2008(S2)
[4]近距離升華沉積CdTe摻Cd薄膜的微結(jié)構(gòu)和電學(xué)、光學(xué)特性[J]. 李茜,鄭毓峰,周向玲,孫言飛,簡(jiǎn)基康. 物理學(xué)報(bào). 2008(06)
[5]紅外成像尋的用紅外探測(cè)器現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)[J]. 蔡毅,胡旭. 紅外與激光工程. 2006(01)
[6]Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格參數(shù)與組分關(guān)系的研究[J]. 王慶學(xué),楊建榮,孫濤,魏彥鋒,方維政,何力. 物理學(xué)報(bào). 2005(08)
[7]量子力學(xué)若干基本問(wèn)題研究的新進(jìn)展[J]. 孫昌璞. 物理. 2001(05)
[8]碲鎘汞的液相外延生長(zhǎng)[J]. 黃仕華,何景福,陳建才,雷春紅. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2001(05)
[9]量子力學(xué)和分子力學(xué)組合方法及其應(yīng)用[J]. 莫亦榮,Cristobal Alhambra,高加力. 化學(xué)學(xué)報(bào). 2000(12)
[10]介觀層次上的計(jì)算機(jī)模擬和應(yīng)用[J]. 李有勇,郭森立,王凱旋,徐筱杰. 化學(xué)進(jìn)展. 2000(04)
本文編號(hào):3592909
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【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
ABSTRACT
符號(hào)說(shuō)明
第一章 緒論
1.1 紅外探測(cè)材料簡(jiǎn)介
1.2 HgCdTe材料的相關(guān)內(nèi)容
1.2.1 HgCdTe材料概述
1.2.2 碲鎘汞材料的制備
1.2.3 碲鎘汞材料的應(yīng)用
1.3 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 分子模擬技術(shù)
2.1 引言
2.2 分子模擬技術(shù)的常見(jiàn)方法
2.2.1 Monte Carlo方法(MC)
2.2.2 分子動(dòng)力學(xué)方法(MD)
2.2.3 分子力學(xué)方法(MM)
2.2.4 量子力學(xué)方法(QM)
2.2.5 介觀模擬方法(Mesoscale Simulation)
2.3 第一性原理計(jì)算理論
2.3.1 第一性原理計(jì)算
2.3.2 薛定諤方程
2.3.3 密度泛函理論(DFT)
2.3.3.1 Hohenberg-Kohn定理
2.3.3.2 Kohn-Sham方程
2.3.3.3 交換關(guān)聯(lián)能的近似方法
2.4 VASP(Vienna Ab-inito Simulation Package)軟件包
2.4.1 贗勢(shì)
2.4.2 VASP的使用
第三章 Au摻雜碲鎘汞材料的第一性原理研究
3.1 引言
3.2 計(jì)算方法和模型
3.3 結(jié)果和討論
3.3.1 原子弛豫
3.3.2 成鍵機(jī)制
3.3.3 電學(xué)性質(zhì)
3.4 本章小結(jié)
第四章 Bi摻雜Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te的第一性原理研究
4.1 引言
4.2 計(jì)算方法
4.3 結(jié)果和討論
4.3.1 Bi摻雜Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te的結(jié)構(gòu)弛豫分析
4.3.2 成鍵機(jī)制
4.3.3 電學(xué)性質(zhì)
4.4 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與展望
5.1 論文完成的工作
5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文和參加科研情況
學(xué)位論文評(píng)閱及答辯情況隸表
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]AsHg與VHg在碲鎘汞中摻雜行為第一性原理研究[J]. 黃燕,王子言,段鶴,陳效雙,孫立忠,陸衛(wèi). 中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2014(04)
[2]CdTe和HgTe電子結(jié)構(gòu)的緊束縛模型計(jì)算[J]. 廖云龍,趙紀(jì)軍. 原子與分子物理學(xué)報(bào). 2010(04)
[3]紅外探測(cè)技術(shù)在軍事上的應(yīng)用[J]. 王力民,張蕊,林一楠,徐世錄. 紅外與激光工程. 2008(S2)
[4]近距離升華沉積CdTe摻Cd薄膜的微結(jié)構(gòu)和電學(xué)、光學(xué)特性[J]. 李茜,鄭毓峰,周向玲,孫言飛,簡(jiǎn)基康. 物理學(xué)報(bào). 2008(06)
[5]紅外成像尋的用紅外探測(cè)器現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)[J]. 蔡毅,胡旭. 紅外與激光工程. 2006(01)
[6]Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格參數(shù)與組分關(guān)系的研究[J]. 王慶學(xué),楊建榮,孫濤,魏彥鋒,方維政,何力. 物理學(xué)報(bào). 2005(08)
[7]量子力學(xué)若干基本問(wèn)題研究的新進(jìn)展[J]. 孫昌璞. 物理. 2001(05)
[8]碲鎘汞的液相外延生長(zhǎng)[J]. 黃仕華,何景福,陳建才,雷春紅. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2001(05)
[9]量子力學(xué)和分子力學(xué)組合方法及其應(yīng)用[J]. 莫亦榮,Cristobal Alhambra,高加力. 化學(xué)學(xué)報(bào). 2000(12)
[10]介觀層次上的計(jì)算機(jī)模擬和應(yīng)用[J]. 李有勇,郭森立,王凱旋,徐筱杰. 化學(xué)進(jìn)展. 2000(04)
本文編號(hào):3592909
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