隨著紅外熱成像技術(shù)在無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,作為其應(yīng)用研究基礎(chǔ)之一的熱激勵(lì)技術(shù)受到廣泛關(guān)注。針對(duì)傳統(tǒng)大功率熱激勵(lì)設(shè)備工作模式單一、體積過(guò)大、不便于攜帶的缺點(diǎn),對(duì)傳統(tǒng)熱激勵(lì)源進(jìn)行設(shè)計(jì)改造,設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了一種新型便攜式多模態(tài)無(wú)損檢測(cè)熱激勵(lì)源,能夠?qū)崿F(xiàn)鎖相模式、鎖相多頻模式和脈沖模式三種激勵(lì)模式,并且模式參數(shù)可調(diào)。該熱激勵(lì)源采用24 V鋰電池供電方式,輸出功率達(dá)到1000 W,具有操作靈活、便于攜帶、多模態(tài)等特點(diǎn),滿(mǎn)足紅外熱成像無(wú)損檢測(cè)需求。 

【文章來(lái)源】：激光與紅外. 2020,50(10)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

激勵(lì)源系統(tǒng)框圖

功率電路部分主要包括半橋電路拓?fù)洹⑷珮螂娐吠負(fù)�、模式切換電路。其主電路拓?fù)鋱D如圖2所示,VDC是激勵(lì)電源系統(tǒng)直流輸入電壓,采用24 V電池組產(chǎn)生,前級(jí)由輸入電容C1、開(kāi)關(guān)管Q1～Q2和輸出LC濾波器組成半橋低頻正弦產(chǎn)生電路,中間級(jí)由開(kāi)關(guān)管Q3～Q4構(gòu)成模式切換電路,后級(jí)由濾波電容C2和開(kāi)關(guān)管Q5～Q8組成全橋脈沖電路。3.2 激勵(lì)源電路工作原理分析

如圖3所示,中間級(jí)由開(kāi)關(guān)管Q3～Q4并聯(lián)構(gòu)成模式切換電路,開(kāi)關(guān)管Q3～Q4的漏極分別連接輸入24 V和半橋低頻正弦輸出,通過(guò)控制開(kāi)關(guān)管Q3～Q4的開(kāi)關(guān)狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)模式的切換功能。控制器TMS320F28335輸出的模式切換信號(hào)功率很小,無(wú)法直接控制開(kāi)關(guān)MOS管,因此必須設(shè)計(jì)外圍驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)開(kāi)關(guān)MOS管的控制。本文采用PS2701系列的光耦芯片,設(shè)計(jì)了光耦驅(qū)動(dòng)電路,如圖3所示,DSPDRV信號(hào)由控制器TMS320F28335產(chǎn)生,DRVOUT為輸出信號(hào),驅(qū)動(dòng)原理為:當(dāng)DSPDRV信號(hào)為低電平時(shí),經(jīng)過(guò)光耦PS2701后,輸出信號(hào)DRVOUT為高電平,則MOSFET導(dǎo)通,反之,則MOSFET關(guān)斷,此設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)的光電隔離,保證系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3590498