在基于碳化硅（SiC）功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,由于SiC器件較高的dv/dt、di/dt,產(chǎn)生了不可忽略的振蕩,傳統(tǒng)的傳導(dǎo)電磁干擾（EMI）電路模型不再適用。該文提出一種SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的傳導(dǎo)EMI等效電路建模及預(yù)測(cè)方法。首先,建立考慮寄生參數(shù)的SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的線性時(shí)不變等效電路,通過分析,證明準(zhǔn)確估計(jì)傳導(dǎo)干擾水平必須同時(shí)計(jì)算作為干擾源的功率管電流、電壓所產(chǎn)生的干擾;然后,建立差模、共模干擾等效電路模型,進(jìn)行各部件等效電路模型的建模并根據(jù)實(shí)驗(yàn)所用電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行參數(shù)計(jì)算;最后,根據(jù)等效電路,對(duì)電源端口處的干擾頻譜進(jìn)行預(yù)測(cè),并與EMI接收機(jī)的實(shí)測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,驗(yàn)證了所建模型的準(zhǔn)確性,并且驗(yàn)證了該方法在高頻段提高差模干擾計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。 

【文章來源】：電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,35(22)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：13 頁

【部分圖文】：

測(cè)試裝置結(jié)構(gòu)

為了建立Si C電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的EMI頻域模型，根據(jù)電路替代定理，將圖1中S1～S6等效網(wǎng)絡(luò)中的開關(guān)用電壓源或電流源替代，為同時(shí)反映Si C芯片承載的母線電壓和負(fù)載電流，將S1、S3、S5等效網(wǎng)絡(luò)中的開關(guān)用電流源等效，將S2、S4、S6等效網(wǎng)絡(luò)中的開關(guān)用電壓源等效。這里的等效電流源、電壓源均為具有上升、下降斜率的脈沖序列。經(jīng)過上述替代和等效，三相逆變電路各支路的電壓、電流特性保持不變[25-26]。A相橋臂替代后的等效電路模型，如圖3所示。

經(jīng)過上述替代和等效，三相逆變電路各支路的電壓、電流特性保持不變[25-26]。A相橋臂替代后的等效電路模型，如圖3所示。同理，B、C相橋臂的等效電路與A相的類似。替代后的Si C電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的等效電路為線性時(shí)不變等效電路，再根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)各部件的高頻等效電路模型，可得如圖4所示Si C電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)線性時(shí)不變等效電路。

【參考文獻(xiàn)】：
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