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SN74LS00N芯片高電平輸出特性的理論與實(shí)驗(yàn)研究

發(fā)布時(shí)間:2022-01-13 03:18
  本文通過對(duì)目前流行的四家SN74LS00N與非門集成電路芯片的高電平輸出特性(輸出電壓VOH與拉電流IOH的關(guān)系)的理論和實(shí)測(cè)研究,給出幾乎所有講解74LS00門電路的《數(shù)字電子技術(shù)》教材中忽略的和缺失的但確實(shí)應(yīng)該給出的真實(shí)輸出特性,同時(shí)還給出了擬合兩個(gè)關(guān)鍵的內(nèi)部電路參數(shù)的方法,這對(duì)廓清許多教師和電子工程師對(duì)輸出高電平最小電壓VOH(min)和最大電流IOH(max)的理解有幫助,并對(duì)該系列電子器件的實(shí)驗(yàn)教學(xué)、相關(guān)電子工程設(shè)計(jì),以及對(duì)該課教材的編寫、出版和教學(xué)起到積極的推動(dòng)作用。 

【文章來源】:電子器件. 2020,43(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)

【部分圖文】:

SN74LS00N芯片高電平輸出特性的理論與實(shí)驗(yàn)研究


與非門74LS00的原理電路[11]

芯片,特性


四家SN74LS00N芯片

特性圖,特性,集成電路,非門


圖3給出了SN74LS00N(A. HLF)芯片的第1個(gè)與非門在兩個(gè)輸入端同時(shí)接地時(shí)的VOH-IOH特性的測(cè)試結(jié)果。為了保護(hù)集成電路,測(cè)量拉電流范圍確定原則是:既要VOH>VOH(min)=2.7 V,又要保證集成電路輸出部分內(nèi)部功耗P<20 mW。


本文編號(hào):3585960

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