電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)封裝的發(fā)展趨勢是不斷減小尺寸和提高性能,這種趨勢可以從半導(dǎo)體集成度越來越高和混合集成電路及多芯片模塊的使用越來越廣泛中看出。在較小的封裝體中放置更多的功能導(dǎo)致了更高的熱密度,因此要求在設(shè)計中優(yōu)先考慮熱管理以便維持系統(tǒng)的性能和可靠性。在此發(fā)展趨勢下,作者所在公司承接了許多混合集成電路和多芯片模塊的研制項目,由于具有高的封裝密度,對封裝的熱管理和熱設(shè)計提出了更高的要求。FH0189為作者所在公司經(jīng)典混合集成電路產(chǎn)品,在各領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。以FH0189為研究對象,研究其熱可靠性,不僅有利于提高該類產(chǎn)品的合格率,也有助于拓展新的封裝材料、封裝工藝、篩選試驗和失效分析技術(shù)等的研究,為科研新品的熱設(shè)計和熱管理提供有價值的參考和技術(shù)方法。本論文對FH0189熱可靠性及封裝工藝改進進行研究。主要內(nèi)容及研究結(jié)果為:1.分析研究FH0189的電路原理、封裝材料和封裝結(jié)構(gòu),歸納微電子器件失效分析常用的技術(shù)和方法,為FH0189熱可靠性分析提供了一條可行的技術(shù)路線,即先后進行電學(xué)測試、非破壞性分析和破壞性分析。2.研究FH0189熱失效的典型案例,通過電學(xué)測試的功能測試中發(fā)現(xiàn)器件在環(huán)境溫度1... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

FH0189的TO-3封裝互連圖

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文6圖2-2FH0189電路框圖（1/2）電路共由六部分組成，分別是輸入級、中間級、熱檢測、過熱保護、偏置及限流保護、輸出級[4]。對應(yīng)于電路的組成是：（a）輸入級：由T1～T6、R1～R5、D1、I1～I4組成；（b）中間級：T9、T10、I5、I6、C組成；（c）熱檢測：T8、D2組成；（d）熱保護、偏置及限流保護：T11、T12、R6、I5組成；（e）輸出級：T13～T16、R6～R10組成。圖2-3FH0189電原理圖（1/2）各部分的工作原理簡述如下：輸入級：T1～T4均采用FET（結(jié)型場效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)，信號從T4漏極跟隨輸出，完成了信號差分輸入和單端輸出的轉(zhuǎn)換，并且實現(xiàn)了第一級的電平位移。采用FET

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文6圖2-2FH0189電路框圖（1/2）電路共由六部分組成，分別是輸入級、中間級、熱檢測、過熱保護、偏置及限流保護、輸出級[4]。對應(yīng)于電路的組成是：（a）輸入級：由T1～T6、R1～R5、D1、I1～I4組成；（b）中間級：T9、T10、I5、I6、C組成；（c）熱檢測：T8、D2組成；（d）熱保護、偏置及限流保護：T11、T12、R6、I5組成；（e）輸出級：T13～T16、R6～R10組成。圖2-3FH0189電原理圖（1/2）各部分的工作原理簡述如下：輸入級：T1～T4均采用FET（結(jié)型場效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)，信號從T4漏極跟隨輸出，完成了信號差分輸入和單端輸出的轉(zhuǎn)換，并且實現(xiàn)了第一級的電平位移。采用FET

【參考文獻】：
期刊論文
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[3]混合集成電路內(nèi)部多余物的控制研究[J]. 劉曉紅,常青松.  半導(dǎo)體技術(shù). 2008(07)
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[5]BGA封裝器件焊點缺陷X-射線檢測法[J]. 胡永芳,徐瑋,禹勝林,薛松柏.  電子工藝技術(shù). 2005(06)
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[7]熱阻的概念和測試方法[J]. 秦賢滿.  半導(dǎo)體技術(shù). 1996(03)

碩士論文
[1]基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的IGBT芯片焊接質(zhì)量分析與研究[D]. 許煒.華南理工大學(xué) 2016
[2]IGBT器件熱可靠性的研究[D]. 董少華.山東大學(xué) 2014
[3]軍用集成電路典型失效模式分析與改進措施研究[D]. 鮑秀峰.南京理工大學(xué) 2006



本文編號：3583996