軟件無(wú)線電技術(shù)可以將諸如藍(lán)牙、WLAN、手機(jī)通訊和GPS等多個(gè)功能模塊集中在一個(gè)芯片上,該技術(shù)能夠覆蓋這些模塊所需要的所有工作頻段范圍,促進(jìn)了設(shè)備小型化的進(jìn)程,也降低了芯片設(shè)計(jì)的成本。射頻接收機(jī)系統(tǒng)無(wú)疑是軟件無(wú)線電技術(shù)的重要硬件支撐,而低噪聲放大器作為射頻接收機(jī)的前端模塊,在整個(gè)系統(tǒng)中發(fā)揮了重要的作用。本文基于JAZZ 0.18um SiGe BiCMOS工藝,旨在設(shè)計(jì)兩版工作在0.3-4GHz的高線性度超寬帶低噪聲放大器電路。本論文中第一版電路的第一級(jí)采用電阻負(fù)反饋和共射共基的cascode結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶的輸入匹配和良好的增益平坦性,并利用零點(diǎn)成峰技術(shù)進(jìn)一步抬高高頻增益,給版圖寄生可能帶來(lái)的高頻性能惡化留出余度,為提高輸入1dB壓縮點(diǎn),采用了導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù),即利用偏置在較低基極電壓下的輔助共射管消除cascode結(jié)構(gòu)中共射管的跨導(dǎo)三階非線性項(xiàng),第二級(jí)采用射隨器結(jié)構(gòu)進(jìn)行寬帶的輸出阻抗匹配并提高反相隔離度,為避免線性度的惡化,射隨器的工作電流通過(guò)偏置管偏置到較大的工作電流狀態(tài),輸出端串聯(lián)金屬電阻用以補(bǔ)償輸出電阻的實(shí)部阻抗;第二版電路采用包含兩支路的噪聲相消結(jié)構(gòu),第一支路同樣為帶有電阻負(fù)反饋的... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：86 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

不同頻率下MOS電容C-V曲線

圖 2.3 場(chǎng)效應(yīng)晶體管噪聲等效電路頻過(guò)剩隨噪聲器件尺寸的日益縮小而不斷增加，其主要成噪聲，對(duì)于短溝器件來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的長(zhǎng)溝噪聲模型不再OS 工藝下，熱噪聲依然是主要影響因素。ET 線性度特性SFET 漏電流與柵源電壓之間的平方律特性，使其具有較然會(huì)使輸入信號(hào)在輸出端產(chǎn)生互調(diào)失真信號(hào)，MOS 管小、跨導(dǎo)mg 和輸出電阻or 是 RF MOS 管非線性特性的主要來(lái)信號(hào)的作用中體現(xiàn)出其非線性的影響，并且在用作 MOS和 的線性度顯得尤為重要。BT 特性研究管不同的是，雙極型晶體管為電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電的

圖 2.4 雙極管混合 型等效模型 MOS 管，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的結(jié)電容是影響電路增益、噪聲和阻抗匹配主要因素，發(fā)射結(jié)電容與發(fā)射結(jié)偏置電壓有較強(qiáng)的相關(guān)性，結(jié)正偏時(shí)，容極板距離越近，則結(jié)電容值越大。 SiGe HBT 噪聲特性極型晶體管中噪聲的主要來(lái)源有寄生電阻熱噪聲、散彈電流熱噪聲和1中1 f 噪聲通常不在我們考慮的工作頻帶范圍內(nèi)[21]，因此電路噪聲分析管噪聲模型在圖 2.5 中表示：

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]射頻MOS管的非線性特性分析與線性度提高技術(shù)[J]. 徐元中,劉凌云.  電子技術(shù)應(yīng)用. 2015(04)
[2]CMOS超寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J]. 徐國(guó)明.  電子與封裝. 2010(08)
[3]基區(qū)Ge組分分布對(duì)SiGe pnp HBT的影響[J]. 李立,戴顯英,朱永剛,胡輝勇.  電子器件. 2006(03)
[4]射隨器電路分析方法的改進(jìn)[J]. 傅明星.  漢中師院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1994(S1)

碩士論文
[1]短溝道MOSFET高頻噪聲特性研究[D]. 王林.西南科技大學(xué) 2017
[2]面向云服務(wù)器的智能家居遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 梁雪輝.北方工業(yè)大學(xué) 2017
[3]0.18um CMOS工藝低噪聲放大器的電路及版圖設(shè)計(jì)[D]. 高艷花.復(fù)旦大學(xué) 2011
[4]全固態(tài)射頻電源系統(tǒng)的分析與研究[D]. 秦威.昆明理工大學(xué) 2011
[5]SiGe HBT噪聲模型和BiCMOS LNA研究[D]. 戴廣豪.電子科技大學(xué) 2007



本文編號(hào)：3581760