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基于HBT工藝的高功率低相位噪聲QVCO

發(fā)布時間:2022-01-06 23:17
  基于Sanan 2μm GaAs HBT工藝,提出了一種差分Colpitts結(jié)構(gòu)的高功率低相位噪聲正交壓控振蕩器(QVCO)。該QVCO采用四只環(huán)形連接的二極管,通過二次諧波反相作用,迫使壓控振蕩器基波正交。該QVCO比傳統(tǒng)串并聯(lián)晶體管耦合電路具有更高的輸出功率和更低的相位噪聲。仿真結(jié)果表明,該QVCO的調(diào)諧范圍為12.98~14.05 GHz。振蕩頻率為13.51 GHz時,輸出信號功率為12.557 dBm。相位噪聲為-117.795 dBc/Hz@1 MHz。 

【文章來源】:微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

基于HBT工藝的高功率低相位噪聲QVCO


差分螺旋電感

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螺旋電感的電感值與頻率的關(guān)系曲線

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螺旋電感的Q值與頻率的關(guān)系曲線


本文編號:3573346

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