納米纖維（NFs）由于其獨(dú)特的形貌結(jié)構(gòu),具有大比表面積、固定電子傳輸路徑等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于光電、儲能、電子等領(lǐng)域。靜電紡絲技術(shù)由于在生產(chǎn)過程中不需要復(fù)雜的生產(chǎn)環(huán)境、可大面積制備等優(yōu)點,被廣泛用于制備各種材料的一維納米纖維。本文基于靜電紡絲技術(shù),以提高場效應(yīng)晶體管（FET）電學(xué)性能和降低成本為目的,制備出高性能、低功耗的場效應(yīng)晶體管。本文主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:（1）我們利用靜電紡絲工藝制備了Al、Ga、Cr大比例摻雜的In₂O₃納米纖維（NFs）場效應(yīng)晶體管。Al、Ga、Cr元素的大比例摻雜既可以提高器件的電學(xué)性能,又能降低In的使用量。在最佳摻雜濃度10 mol%時,器件具有優(yōu)異的電學(xué)性能:開關(guān)電流比～10⁸,開態(tài)電流～10^-4 A,閾值電壓<6 V。在用高κ介電材料Al₂O₃代替SiO₂后,降低了器件的功耗,操作電壓由30 V降低為3 V,同時電子遷移率由2 cm²V^-1s

【文章來源】：青島大學(xué)山東省

【文章頁數(shù)】：47 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

靜電紡絲裝置示意圖[12]

(a)、(b)、(c)分別是不同摻雜量的Al-In2O

(a)In2O3(b)5mol%Al-In2O3(c)10mol%Al-In2O3(d)15mol%Al-In2O3XPS表征

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Flexible Conductive Anodes Based on 3D Hierarchical Sn/NS?CNFs@rGO Network for Sodium?Ion Batteries[J]. Linqu Luo,Jianjun Song,Longfei Song,Hongchao Zhang,Yicheng Bi,Lei Liu,Longwei Yin,Fengyun Wang,Guoxiu Wang.  Nano-Micro Letters. 2019(04)
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碩士論文
[1]TiZnSnO非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜制備及應(yīng)用研究[D]. 孫汝杰.浙江大學(xué) 2015



本文編號：3569484