近年來,低維材料技術日益成熟,二維半導體材料是當前材料研究的熱點。一種名為MXene的二維材料已被廣泛應用于各種鋰離子電池、超級電容器、催化劑等領域,然而,盡管MXene與金屬電極的接觸在電子和光電器件中具有重要意義,但其研究卻十分有限。因此金屬基底與MXene接觸界面的電學特性和電子結構是一個關鍵的研究方面。本文借助第一性原理計算方法,密度泛函理論（DFT）,對MXene-金屬接觸進行了系統(tǒng)性的研究。主要工作和結論如下:首先,建立了不同的MXene-金屬接觸模型,并利用VASP軟件包對其進行了結構優(yōu)化。根據不同的MXene和金屬基底模型的匹配度,我們選取合適且平整的金屬切面,有針對性地分別建立了單胞和超胞接觸模型,使所有接觸模型失配率都在5%以下。并且對其穩(wěn)定性進行了研究,確保其接觸結構的合理性。其次,對MXene-金屬接觸的能帶結構進行了計算分析。通過計算結果,我們發(fā)現(xiàn)盡管大多數(shù)觸點都呈現(xiàn)出間接帶隙的特性,這種特性并不適用于某些特殊電子器件,但對于Ag-Sc₂CO₂和Au-Sc₂CO₂來說,他們... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

六種半導體MXene單胞結構優(yōu)化結構模型的俯視圖（上）和側視圖（下），菱

單胞模型俯視圖與側視圖模型，六種不同結構如上所示，分別命名為(a)

√3√3R30°擴展后超胞的(a)側視圖；(b)俯視圖


本文編號：3549399