真空封裝技術(shù)是延伸波長InGaAs探測器的主要封裝方法之一,熱電制冷器可為延伸波長InGaAs探測器焦平面提供低溫環(huán)境。測試了基于真空封裝技術(shù)無熱負(fù)載條件下二級熱電制冷器的性能,研究了二級熱電制冷器在不同輸入電流(功率)時冷、熱端溫差與熱負(fù)載的關(guān)系,測試了二級熱電制冷器在低溫工況下的制冷性能以及二級熱電制冷器處于不工作狀態(tài)時的表觀熱導(dǎo)率。結(jié)果表明,熱沉溫度為274 K時,冷端可以達(dá)到221.4 K并實現(xiàn)77.5 K的冷、熱端溫差;當(dāng)輸入電流一定時,隨著熱負(fù)載的增加,冷、熱端溫差呈線性趨勢減小,且斜率隨著輸入電流增大而增大;二級熱電制冷器冷、熱端溫差在較高溫度時更大,即制冷性能更好;當(dāng)溫度分別為233.1 K和249.8 K時,表觀熱導(dǎo)率分別為11.30 W/(m·K)和8.29 W/(m·K)。

【文章來源】： 激光與紅外. 2020,50(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實驗裝置與原理
3 實驗結(jié)果與分析
    3.1 無熱負(fù)載時制冷性能研究
    3.2 有熱負(fù)載時制冷性能研究
    3.3 低溫工況下制冷性能研究
    3.4 不工作狀態(tài)表觀熱導(dǎo)率研究
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3547423