由于基于40μm保偏光纖的商用光纖器件制作技術(shù)和保偏熔接技術(shù)尚不成熟,一般的保偏光纖參數(shù)測(cè)量方法很難直接應(yīng)用。文章提出在1根40μm保偏光纖上完成超輻射發(fā)光二極管（SLD）耦合對(duì)接和光纖偏振器在線制作,構(gòu)建出一套簡(jiǎn)單的偏光干涉裝置,利用調(diào)制光譜可同時(shí)實(shí)現(xiàn)拍長(zhǎng)和雙折射溫度系數(shù)的測(cè)量。文章分別從理論和實(shí)驗(yàn)上對(duì)測(cè)量方法進(jìn)行了闡述和驗(yàn)證。所提方法同樣適用于其他直徑的保偏光纖參數(shù)測(cè)量。 

【文章來(lái)源】：光通信研究. 2020,(06)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

40 μm保偏光纖參數(shù)測(cè)量裝置示意圖

圖2所示為對(duì)調(diào)制光譜周期與光纖長(zhǎng)度倒數(shù)的實(shí)測(cè)值進(jìn)行線性擬合后的曲線,線性擬合函數(shù)為y=2.698 47x-0.040 09,斜率為2.698 47 nm/m-1,代入式(4)可計(jì)算出光纖拍長(zhǎng)B=2.698 47×10-9/=3.2 mm。2.2 雙折射溫度系數(shù)測(cè)量

實(shí)驗(yàn)中SLD芯片與偏振器芯片之間的保偏光纖總長(zhǎng)為193.0 cm,將中間40 cm的保偏光纖(即 L2=40 cm)固定到加熱臺(tái)上,控制加熱臺(tái)從25 ℃開(kāi)始以0.5 ℃/min的升溫速率加熱到75 ℃,每2 ℃記錄一次光譜數(shù)據(jù),此條件下測(cè)量的調(diào)制光譜沒(méi)有發(fā)生跨條紋移動(dòng),圖3(a)所示為25和27 ℃下光譜儀記錄的調(diào)制光譜數(shù)據(jù),圖3(b)所示為局部放大圖。25 ℃下的某級(jí)峰值波長(zhǎng)A點(diǎn)(854.4 nm)平移至27 ℃下的B點(diǎn)(853.9 nm),通過(guò)始終追蹤測(cè)量該峰值波長(zhǎng)就可計(jì)算出波長(zhǎng)隨溫度的平移速率。圖4所示為上述峰值波長(zhǎng)隨溫度變化的關(guān)系數(shù)據(jù)和線性擬合后的曲線。由圖可知,隨著溫度的逐漸升高,峰值波長(zhǎng)近似線性地向左平移,線性擬合函數(shù)為y=-0.279 25x+861.4,斜率k=-0.279 nm/℃,代入式(8)可得雙折射溫度系數(shù)為-4.2×10-7/℃。

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號(hào)：3531106