互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡(jiǎn)寫為CMOS）是集成電路行業(yè)的基石,其可靠性問題一直都是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。MOS器件工藝進(jìn)入深亞微米節(jié)點(diǎn)之后,柵氧厚度和溝道長(zhǎng)度大幅度減小,而器件的工作電壓卻沒有等比例縮小,使得溝道區(qū)橫向與縱向電場(chǎng)變得更大,熱載流子注入問題變得越來越嚴(yán)重。其中,由于電子遷移率較空穴更高,NMOS器件的熱載流子注入效應(yīng)較PMOS器件也更嚴(yán)重�；谝陨媳尘�,本文圍繞NMOS器件的熱載流子注入效應(yīng)進(jìn)行研究。本文基于業(yè)界大規(guī)模使用的0.18μm CMOS工藝以及65nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了熱載流子注入效應(yīng)測(cè)試結(jié)構(gòu);基于設(shè)計(jì)制造完成的測(cè)試結(jié)構(gòu),以I-V特性測(cè)試法為基礎(chǔ),設(shè)置了熱載流子注入測(cè)試流程,搭建測(cè)試平臺(tái),E完成熱載流子注入效應(yīng)的自動(dòng)化測(cè)試;經(jīng)過試驗(yàn)驗(yàn)證,測(cè)試平臺(tái)穩(wěn)定可靠,能夠完整地完成NMOS器件熱載流子注入效應(yīng)的試驗(yàn)研究。對(duì)于0.18μm工藝NMOS器件,研究了熱載流子注入效應(yīng)對(duì)器件I_d-V_g曲線,閾值電壓,飽和漏極電流,跨導(dǎo)的影響。進(jìn)行了NMOS器件熱載流... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

NMOS器件襯底電流隨柵壓變化曲線

襯底接觸結(jié)構(gòu)版圖

器件與PAD連接版圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[3]基于測(cè)試結(jié)構(gòu)的CMOS工藝可靠性評(píng)價(jià)方法研究[D]. 劉洋.電子科技大學(xué) 2016
[4]納米MOS器件TID與HCI效應(yīng)關(guān)聯(lián)分析[D]. 高立娜.西安電子科技大學(xué) 2015
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[7]RF LDMOS器件設(shè)計(jì)優(yōu)化及熱載流子效應(yīng)研究[D]. 韓鵬宇.電子科技大學(xué) 2014
[8]SOI器件的輻照效應(yīng)與加固電路設(shè)計(jì)技術(shù)研究[D]. 王志.西安電子科技大學(xué) 2014
[9]基于65納米工藝的MOS器件和環(huán)形振蕩器電路的應(yīng)力退化特性[D]. 彭嘉.復(fù)旦大學(xué) 2013
[10]NMOSFET熱載流子效應(yīng)可靠性及壽命研究[D]. 時(shí)丙才.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3530880