隨著現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,基于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的電子產(chǎn)品元器件的尺寸已經(jīng)達(dá)到納米尺度,越來(lái)越接近摩爾定律預(yù)期的極限。因此,進(jìn)一步降低器件的尺寸將受到量子效應(yīng)的限制。在這種背景下,自旋電子學(xué)提出利用電子的自旋自由度存儲(chǔ)和處理信息,它有望成為下一代信息存儲(chǔ)技術(shù)。在自旋電子學(xué)中,信息的操控和存儲(chǔ)也需要很高的速度,一個(gè)典型的例子就是磁隨機(jī)存儲(chǔ)器。由于百飛秒量級(jí)的時(shí)間分辨率,飛秒脈沖激光的出現(xiàn)為實(shí)現(xiàn)快速磁性操控提供了可能性。在1996年,E.Beaurepaire等人第一次在鐵磁金屬中報(bào)道了飛秒激光能夠在皮秒尺度下誘導(dǎo)磁矩降低,這一報(bào)道開啟了超快磁性領(lǐng)域。目前,雖然已經(jīng)有大量文章報(bào)道了各種材料的光控磁現(xiàn)象及其物理機(jī)制,但是這些物理機(jī)制中仍然存在爭(zhēng)議,有些甚至相互矛盾。另外,自旋電子器件在信息處理領(lǐng)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)大面積推廣應(yīng)用仍然存在很多技術(shù)上的問題。因此不管是從基礎(chǔ)研究或者從技術(shù)應(yīng)用角度來(lái)講,仍然十分有必要對(duì)這個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行更深入地研究。本論文中以不同類型的鐵磁性材料（如磁性復(fù)雜氧化物L(fēng)a0.7Sr0.3MnO3以及過渡族金屬合金CoFeB）為主要研究對(duì)象,利用超快泵浦-探測(cè)技術(shù)對(duì)自旋自由度在皮秒一納... 

【文章來(lái)源】：南京大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：128 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．?（ａ）?Ｂｅａｕｒｅｐａｉｒｅｅ？ａ／．?［１］在２２ｎｍ厚的Ｎｉ薄膜中報(bào)道的由飛秒脈沖激光導(dǎo)致的退磁現(xiàn)象

到的幾個(gè)皮秒以內(nèi)發(fā)生的超快退磁過程外，在之后的時(shí)間里，隨著瞬態(tài)磁矩逐漸恢復(fù)，??如果給樣品施加一個(gè)同樣品磁矩方向垂直或者有一定夾角的外磁場(chǎng)，則會(huì)觀察到磁矩進(jìn)??動(dòng)現(xiàn)象（如圖２所示）。關(guān)于激光觸發(fā)磁矩進(jìn)動(dòng)的原因可以具體解釋如下（見圖３）：在??薄膜屬于面內(nèi)磁化的情況下，施加面外方向的外磁場(chǎng)后，樣品的磁矩將會(huì)被拉到面外方??向，形成一個(gè)同樣品平面夾角為的平衡角。該角度的形成是外磁場(chǎng)和樣品自身的磁??Ｉ??

到的幾個(gè)皮秒以內(nèi)發(fā)生的超快退磁過程外，在之后的時(shí)間里，隨著瞬態(tài)磁矩逐漸恢復(fù)，??如果給樣品施加一個(gè)同樣品磁矩方向垂直或者有一定夾角的外磁場(chǎng)，則會(huì)觀察到磁矩進(jìn)??動(dòng)現(xiàn)象（如圖２所示）。關(guān)于激光觸發(fā)磁矩進(jìn)動(dòng)的原因可以具體解釋如下（見圖３）：在??薄膜屬于面內(nèi)磁化的情況下，施加面外方向的外磁場(chǎng)后，樣品的磁矩將會(huì)被拉到面外方??向，形成一個(gè)同樣品平面夾角為的平衡角。該角度的形成是外磁場(chǎng)和樣品自身的磁??Ｉ??


本文編號(hào)：3529627