<正>4 GFET MMIC大面積的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的進(jìn)展為石墨烯單片集成電路（MMIC）的發(fā)展奠定了材料和器件基礎(chǔ),由于石墨烯器件具有特有的雙極性能、高電子遷移率、二維電子氣、彈道輸運(yùn)以及獨(dú)特的電子和機(jī)械性能等特性,目前石墨烯電子學(xué)在混頻器、放大器、THz探測(cè)器、彈道整流器和柔性電路等五方面已有長(zhǎng)足進(jìn)步。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2020,57(12)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：14 頁(yè)

【文章目錄】：
4 GFET MMIC
5 GNR基邏輯電路
6 結(jié)語(yǔ)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]2020年之后的電子學(xué):碳基電子學(xué)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)[J]. 彭練矛.  科學(xué). 2016(02)



本文編號(hào)：3521026