深紫外光電探測(cè)器是光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域中的研究熱點(diǎn),在紫外制導(dǎo)、紫外預(yù)警、空間通信、航空航天和紫外天文學(xué)等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值和迫切需求。作為新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,六方氮化硼（h BN,禁帶寬度約為6.0 e V）由于具有極佳的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性、非常大的吸收系數(shù)（⁷×105 cm-1）、極高的介電強(qiáng)度（8 MV/cm）等優(yōu)點(diǎn),因而是制作深紫外光電探測(cè)器的優(yōu)選材料之一。目前,h BN深紫外光電探測(cè)器的研究方興未艾。受限于材料的質(zhì)量和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),h BN深紫外光電探測(cè)器的性能亟待改善。為此,本論文從提高h(yuǎn) BN薄膜質(zhì)量和改善器件結(jié)構(gòu)兩個(gè)方面,對(duì)MSM型h BN深紫外光電探測(cè)器進(jìn)行了深入研究,取得的主要研究結(jié)果如下:1.采用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）技術(shù),生長(zhǎng)溫度1200℃,在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了h BN薄膜,h BN（002）晶面XRD衍射峰位于26.47°,半峰寬為1.28°。h BN薄膜的光學(xué)帶隙約為5.95 e V,本征吸收邊約為208 nm,吸收邊附近的吸收系數(shù)大于8.5×104 cm-1�；谥苽涞膆 BN薄膜研制出常規(guī)的MSM型光電探測(cè)器,20V偏壓下... 

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【部分圖文】：

幾種常見(jiàn)的紫外光電探測(cè)器的類(lèi)型[13]

第一章緒論型光電探測(cè)器相比制作較為復(fù)雜[18]。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，光伏型光電探測(cè)器又可以分為以下幾類(lèi)：（1）PN結(jié)型光電探測(cè)器PN結(jié)型光電探測(cè)器由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸而成。兩種半導(dǎo)體材料載流子濃度不同，因此在接觸時(shí)形成耗盡層內(nèi)建電場(chǎng)，在光照下材料吸收大于禁帶寬度的光子能量會(huì)產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下光生空穴和光生電子分別流向P型區(qū)和N型區(qū)，產(chǎn)生電流[19,20]，其結(jié)構(gòu)原理圖如1.2所示。PN結(jié)型光電探測(cè)器具有正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟奶攸c(diǎn)，所以通常在反偏電壓下工作，從而具有更小的暗電流和更高的信噪比。圖1.2PN結(jié)型光伏探測(cè)器結(jié)構(gòu)原理圖（2）肖特基勢(shì)壘型光電探測(cè)器肖特基勢(shì)壘型光電探測(cè)器通常由金屬與半導(dǎo)體相接觸而成，由于金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同所以會(huì)在接觸面形成肖特基勢(shì)壘[21]。在光照下半導(dǎo)體吸收大于禁帶寬度的光子能量會(huì)產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下光生載流子被分離，分別流向半導(dǎo)體和金屬，形成低電勢(shì)和高電勢(shì)，從而產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)[22,23]。肖特基勢(shì)壘光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.3所示。圖1.3肖特基勢(shì)壘型光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖3

第一章緒論型光電探測(cè)器相比制作較為復(fù)雜[18]。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，光伏型光電探測(cè)器又可以分為以下幾類(lèi)：（1）PN結(jié)型光電探測(cè)器PN結(jié)型光電探測(cè)器由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸而成。兩種半導(dǎo)體材料載流子濃度不同，因此在接觸時(shí)形成耗盡層內(nèi)建電場(chǎng)，在光照下材料吸收大于禁帶寬度的光子能量會(huì)產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下光生空穴和光生電子分別流向P型區(qū)和N型區(qū)，產(chǎn)生電流[19,20]，其結(jié)構(gòu)原理圖如1.2所示。PN結(jié)型光電探測(cè)器具有正向?qū)�、反向截止的特點(diǎn)，所以通常在反偏電壓下工作，從而具有更小的暗電流和更高的信噪比。圖1.2PN結(jié)型光伏探測(cè)器結(jié)構(gòu)原理圖（2）肖特基勢(shì)壘型光電探測(cè)器肖特基勢(shì)壘型光電探測(cè)器通常由金屬與半導(dǎo)體相接觸而成，由于金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同所以會(huì)在接觸面形成肖特基勢(shì)壘[21]。在光照下半導(dǎo)體吸收大于禁帶寬度的光子能量會(huì)產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下光生載流子被分離，分別流向半導(dǎo)體和金屬，形成低電勢(shì)和高電勢(shì)，從而產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)[22,23]。肖特基勢(shì)壘光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.3所示。圖1.3肖特基勢(shì)壘型光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖3

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
[1]六方氮化硼薄膜穩(wěn)定性及其MSM型深紫外光電探測(cè)器的研究[D]. 全海燕.吉林大學(xué) 2018
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