藍光LED的光效衰減可以使器件在高電流密度下的發(fā)光效率急劇降低。研究了GaN材料中不同位錯類型對藍光LED光效衰減效應(yīng)的影響。通過控制物理氣相沉積AlN緩沖層厚度及GaN緩沖層的有無,得到了兩組不同螺位錯和刃位錯密度的GaN樣品,其中螺位錯密度為1.5×10⁷～1×10⁸ cm^-2,而刃位錯密度為2×10⁸～7×10⁸ cm^-2。LED芯片測試結(jié)果表明,外量子效率維持率隨著螺位錯密度的增加而提升,從46.1%增加到54.9%;但隨著刃位錯密度的增加而降低。刃位錯是非輻射復(fù)合中心,會加劇高電流密度下的光效衰減效應(yīng);而螺位錯不是明顯的非輻射復(fù)合中心,較高的螺位錯密度可以改善LED的光效衰減效應(yīng)。因此可以通過適當(dāng)增加螺位錯密度來提升LED的外量子效率。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(08)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結(jié)果與討論
    2.1 不同緩沖層結(jié)構(gòu)的位錯分析
    2.2 不同緩沖層結(jié)構(gòu)的光效衰減分析
    2.3 光效衰減與位錯類型的關(guān)系分析
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]濺射AlN技術(shù)對GaN基LED性能的影響[J]. 張潔.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(09)
[2]抑制GaN基LED發(fā)光效率衰減的研究進展[J]. 曾夢麟,周佐華,陳康,劉為剛,徐迪,余小明.  材料導(dǎo)報. 2012(21)



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