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Marchand巴倫建模優(yōu)化及設計方法研究

發(fā)布時間:2017-05-06 06:16

  本文關鍵詞:Marchand巴倫建模優(yōu)化及設計方法研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:Marchand巴倫作為重要的無源器件,在射頻前端電路中應用廣泛,是農(nóng)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)無線收發(fā)芯片的重要組成部分。在Marchand巴倫的設計中,通常電磁場仿真需要高性能的計算機并嚴重耗時,這在襯底結(jié)構(gòu)復雜的巴倫仿真中更為突出。針對模型建立優(yōu)化中的效率與瓶頸問題,本文通過理論分析和大量的仿真,建立耦合線物理尺寸和模型參數(shù)之間的對應關系,達到快速建立電路模型的目的。本文的研究從對稱、非對稱耦合線的分析方法并推導四端口網(wǎng)絡參數(shù)入手,在此基礎上利用ADS中現(xiàn)有庫元件,建立耦合線電路模型并進行參數(shù)提取。參數(shù)提取是巴倫建模過程中的重要環(huán)節(jié),對耦合線的電路模型參數(shù)提取借助于全波電磁場仿真(EM)工具進行。本文詳細論述了模型參數(shù)的提取過程,并對提取的參數(shù)進行數(shù)據(jù)分析及擬合,找出耦合線物理尺寸(長度、寬度、間距)和模型參數(shù)之間的關系,建立對應方程,從而可以快速計算求解模型參數(shù),大幅度減少對耦合線電磁場仿真的依賴,提高建模效率。利用建立好的耦合線電路模型搭建巴倫電路模型,從而可以使用模型仿真巴倫性能,指導實際巴倫的設計。最后利用仿真及巴倫實物驗證不同結(jié)構(gòu)、不同工藝下的電路模型準確性,并提出優(yōu)化Marchand巴倫性能的具體方法。同時考察容性、感性補償對于Marchand巴倫性能的影響,證實修正后的巴倫模型可以反映出添加補償后電路發(fā)生的變化。對Marchand巴倫的建模及參數(shù)提取方法的優(yōu)化有效的縮短了巴倫的設計周期,測試結(jié)果表明模型具有較高的準確性,為實際巴倫的設計提供了較好的參考與借鑒。
【關鍵詞】:射頻電路 無源器件 Marchand巴倫 模型 參數(shù)提取
【學位授予單位】:江蘇大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN859;TN402
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • ABSTRACT5-9
  • 第一章 緒論9-14
  • 1.1 研究背景和意義9-10
  • 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-12
  • 1.3 本文主要研究內(nèi)容以及章節(jié)安排12-14
  • 第二章 耦合傳輸線理論及其電路模型研究14-35
  • 2.1 耦合傳輸線概述14-15
  • 2.2 耦合線基本參數(shù)15-17
  • 2.3 對稱微帶耦合線分析17-23
  • 2.3.1 對稱耦合線奇偶模分析法17-19
  • 2.3.2 特性阻抗及有效介電常數(shù)19-21
  • 2.3.3 對稱耦合線網(wǎng)絡參數(shù)21-23
  • 2.4 非對稱耦合線分析23-28
  • 2.5 基于ADS耦合線建模28-29
  • 2.6 對稱耦合線補償方法29-34
  • 2.6.1 電容補償電路模型29-32
  • 2.6.2 電感補償電路模型32-34
  • 2.7 本章小結(jié)34-35
  • 第三章 Marchand巴倫建模35-48
  • 3.1 巴倫分類35-37
  • 3.2 Marchand巴倫S矩陣理論37-46
  • 3.3 巴倫模型構(gòu)建46-47
  • 3.4 本章小結(jié)47-48
  • 第四章 巴倫模型參數(shù)提取48-63
  • 4.1 Momentum電磁仿真48-49
  • 4.1.1 Momentum基板設置48
  • 4.1.2 端口設置48-49
  • 4.2 耦合線參數(shù)一般提取過程49-54
  • 4.3 模型參數(shù)和器件物理尺寸關系分析54-62
  • 4.3.1 耦合線長度對模型參數(shù)影響55-56
  • 4.3.2 耦合線寬度對模型參數(shù)影響56-57
  • 4.3.3 耦合線間距對于模型參數(shù)影響57-60
  • 4.3.4 寬邊耦合線模型參數(shù)60-62
  • 4.4 本章小結(jié)62-63
  • 第五章 巴倫設計及測試分析63-76
  • 5.1 巴倫性能指標63-64
  • 5.2 二導體Marchand巴倫設計64-70
  • 5.3 三導體耦合巴倫設計70-71
  • 5.4 耦合線巴倫補償方法71-73
  • 5.4.1 電容補償71-72
  • 5.4.2 電感補償72-73
  • 5.5 CMOS毫米波巴倫設計73-75
  • 5.6 本章小結(jié)75-76
  • 第六章 總結(jié)與展望76-78
  • 6.1 總結(jié)76-77
  • 6.2 展望77-78
  • 參考文獻78-81
  • 致謝81-82
  • 攻讀碩士期間獲得的成果82

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本文編號:347888

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