基于非微擾量子電動(dòng)力學(xué)的頻域理論,研究了原子在不同頻率雙色激光場(chǎng)中的閾上電離過(guò)程。當(dāng)兩個(gè)激光場(chǎng)的頻率均遠(yuǎn)低于原子電離勢(shì)時(shí),閾上電離譜來(lái)自大量通道的干涉結(jié)果,兩個(gè)激光場(chǎng)在電離過(guò)程中起到相同的作用。隨著激光頻率的增加,閾上電離譜逐漸呈現(xiàn)多平臺(tái)結(jié)構(gòu),不同平臺(tái)對(duì)應(yīng)電子吸收不同高頻光子的過(guò)程。當(dāng)一個(gè)激光場(chǎng)的單個(gè)光子能量遠(yuǎn)大于原子電離勢(shì)時(shí),兩個(gè)激光場(chǎng)在電離過(guò)程中起到不同的作用,高頻激光場(chǎng)決定原子的電離概率,低頻激光場(chǎng)決定原子閾上電離譜每個(gè)平臺(tái)的寬度,且平臺(tái)寬度可以很好地用能量守恒公式給出。 

【文章來(lái)源】：激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2020,57(03)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

原子在不同激光場(chǎng)頻率下的閾上電離譜。（a）ω2=2ω1;(b）ω2=4ω1;(c）ω2=6ω1;(d）ω2=10ω1;(e）ω2=20ω1;(f）ω2=30ω1

為分析兩個(gè)激光在電離過(guò)程中的作用，圖3給出了不同激光場(chǎng)強(qiáng)度下的閾上電離譜。從圖3(a）和3(b）看到，當(dāng)兩個(gè)激光場(chǎng)的頻率均遠(yuǎn)低于原子電離勢(shì)時(shí)，無(wú)論是第一個(gè)還是第二個(gè)激光場(chǎng)強(qiáng)度增加，電離概率均隨之增加。這表明兩個(gè)低頻激光場(chǎng)在電離過(guò)程中起到幾乎相同的作用。從圖3(c）和3(d）發(fā)現(xiàn)，當(dāng)其中一個(gè)激光場(chǎng)的單個(gè)光子能量遠(yuǎn)大于原子電離勢(shì)時(shí)，閾上電離譜中每個(gè)平臺(tái)的寬度隨著第一個(gè)激光場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加，而電離概率隨著第二個(gè)激光場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增大。這表明兩個(gè)激光場(chǎng)在電離過(guò)程中起到不同的作用，其中第一個(gè)激光場(chǎng)（低頻激光場(chǎng)）的激光強(qiáng)度決定平臺(tái)的寬度，第二個(gè)激光場(chǎng)（高頻激光場(chǎng)）的激光強(qiáng)度決定電離概率。圖3 不同激光場(chǎng)強(qiáng)度下的閾上電離譜。（a）ω2=2ω1,I2=1.0×1013 W·cm-2;(b）ω2=2ω1,I1=1.0×1013 W·cm-2;(c）ω2=30ω1,I2=1.0×1013 W·cm-2;(d）ω2=30ω1,I1=1.0×1013 W·cm-2

圖2 電子從第二個(gè)激光場(chǎng)中吸收不同光子數(shù)的通道貢獻(xiàn)。（a）ω2=2ω1;(b）ω2=10ω1;(c）ω2=30ω1分析（5）式中的廣義貝塞爾函數(shù)，當(dāng)?shù)诙䝼�(gè)激光場(chǎng)中的單個(gè)光子能量遠(yuǎn)大于電離勢(shì)時(shí)，得到電子在電離過(guò)程中滿足的能量方程[20]為


本文編號(hào)：3471594