45°高反膜中節(jié)瘤缺陷的電場增強效應及損傷特性
發(fā)布時間:2021-10-23 00:30
研究設計和制備了中心波長為1 064 nm的45°多層膜反射鏡,通過數(shù)值仿真結(jié)合實驗,對薄膜中節(jié)瘤缺陷引起的電場增強效應及其對薄膜抗激光損傷性能的影響進行了研究。結(jié)果表明:當1 064 nm激光從右至左45°斜入射時,電場增強效應主要出現(xiàn)在節(jié)瘤缺陷的表層及其左側(cè)輪廓中部,電場增強效應隨節(jié)瘤缺陷尺寸增大而增強。實驗上,在清潔的基板表面噴布單分散SiO2微球作為人工節(jié)瘤種子,采用電子束蒸發(fā)制備法完成多層全反膜的制備,采用R-on-1方式對薄膜樣品進行激光損傷測試。結(jié)果表明,薄膜的損傷閾值隨著節(jié)瘤缺陷尺寸增加而減小。通過綜合分析電場增強效應、薄膜損傷測試結(jié)果及損傷形貌特征得出,薄膜損傷閾值降低是由于節(jié)瘤缺陷和薄膜中微缺陷共同作用的結(jié)果。
【文章來源】:強激光與粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【參考文獻】:
期刊論文
[1]雜質(zhì)微粒對薄膜的損傷效應[J]. 周成虎,張秋慧,黃明明,黃全振. 紅外與激光工程. 2016(07)
[2]節(jié)瘤缺陷激光損傷的研究進展[J]. 謝凌云,程鑫彬,張錦龍,焦宏飛,馬彬,丁濤,沈正祥,王占山. 強激光與粒子束. 2016(09)
本文編號:3452115
【文章來源】:強激光與粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【參考文獻】:
期刊論文
[1]雜質(zhì)微粒對薄膜的損傷效應[J]. 周成虎,張秋慧,黃明明,黃全振. 紅外與激光工程. 2016(07)
[2]節(jié)瘤缺陷激光損傷的研究進展[J]. 謝凌云,程鑫彬,張錦龍,焦宏飛,馬彬,丁濤,沈正祥,王占山. 強激光與粒子束. 2016(09)
本文編號:3452115
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