闡述了高可靠混合集成電路（HIC）配套厚膜基板典型異質膜層搭接部位的三種典型問題:Au/Ag基膜層功能相過度擴散問題、Ag基導體與低阻值電阻分層問題以及Au基導體與介質分層問題。從機理分析結合剖面微觀分析的角度對問題進行了研究。研究發(fā)現(xiàn):Au/Ag基膜層功能相過度擴散問題的原因是原子的不平衡擴散;Ag導體膜層致密度過高,電阻中的粘結相無法有效浸潤從而導致了Ag基導體與低阻值電阻分層問題;而Au基導體與介質分層問題則是由于異質漿料粘接相不匹配造成的。最后對設計和生產過程中可能采取的措施給出了建議。 

【文章來源】：電子元件與材料. 2020,39(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

Au/Ag異質導體膜層搭接邊沿

由圖2可以看出,某型Au/Ag(10 μm/15 μm)異質導體膜層搭接區(qū)域的初始燒結狀態(tài)已經發(fā)生一定的擴散,但由于程度較低,搭接區(qū)邊沿平滑過渡,SEM未觀察出明顯的邊界。經過20次燒結后,如圖3所示,試樣中的Ag向Au層中擴散明顯,Au/Ag搭接區(qū)中的異質金屬成分近似完全均勻分布,而Au向Ag層中擴散程度相對較低,Ag層中檢測到的Au含量較少。Au/Ag搭接區(qū)發(fā)生的原子不平衡擴散導致搭接區(qū)界面處的Ag層厚度出現(xiàn)退化、塌陷。圖3 某型Au/Ag(10 μm/15 μm)異質導體膜層20次

某型Au/Ag(10 μm/15 μm)異質導體膜層20次

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3402748