太赫茲波在電磁波譜中位于微波和紅外輻射之間,是最后一個人類尚未完全認知和利用的頻段,由于太赫茲波的低能性、指紋譜性、高穿透性及寬帶性等特殊性質(zhì)而具有廣闊的應用前景和戰(zhàn)略性基礎性的研究價值。太赫茲信號源的產(chǎn)生主要有電子學方法或光子學方法兩種手段,通過電子振蕩過程向外輻射THz波,便于集成,系統(tǒng)體積較小,造價相對較低,因此本課題采用硅工藝利用電子學的方法產(chǎn)生太赫茲信號源,目標是產(chǎn)生300GHz的可調(diào)諧的高功率信號。本文介紹了太赫茲振蕩器設計中需要了解的工藝和器件模型知識,并比較了微帶線、帶地的共面波導（GCPW）、慢波模式的共面波導（SCPW）和慢波模式的微帶線（SWTL）等不同結(jié)構的傳輸線。從仿真對比及振蕩器的測試中得到帶地的共面波導（GCPW）和慢波模式的共面波導（SCPW）性能較好,并對共面波導具體參數(shù)的設計方法進行了經(jīng)驗總結(jié),給出了EDA使用過程中常見問題的解決方法。本文采用TSMC 65nm GP工藝設計了三種不同無源元件的三推振蕩器,芯片面積都是0.097mm²。已經(jīng)流片并測試,測試結(jié)果顯示GCPW結(jié)構和SCPW結(jié)構的電路輸出信號頻率分別為272.7GHz... 

【文章來源】：東南大學江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：105 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

TSMC60nmNMOS管fT隨電流變化曲線

TSMC40nmNMOS管fT隨電流變化曲線

TSMC60nmNMOS管fmax隨電流變化曲線

【參考文獻】：
期刊論文
[1]太赫茲波通信技術研究現(xiàn)狀及展望[J]. 李紀舟,蔣文濤.  通信技術. 2014(04)
[2]電子學太赫茲技術研究概述[J]. 徐利兵.  中國新通信. 2013(22)
[3]太赫茲技術的發(fā)展及在雷達和通訊系統(tǒng)中的應用（Ⅱ）[J]. 鄭新,劉超.  微波學報. 2011(01)
[4]太赫茲技術及其應用[J]. 姚建銓.  重慶郵電大學學報(自然科學版). 2010(06)
[5]太赫茲技術的發(fā)展及在雷達和通訊系統(tǒng)中的應用（Ⅰ）[J]. 鄭新,劉超.  微波學報. 2010(06)
[6]太赫茲科學技術及其應用的新發(fā)展[J]. 劉盛綱,鐘任斌.  電子科技大學學報. 2009(05)
[7]太赫茲通信技術的研究與展望[J]. 姚建銓,遲楠,楊鵬飛,崔海霞,汪靜麗,李九生,徐德剛,丁欣.  中國激光. 2009(09)
[8]我國太赫茲基礎研究[J]. 張懷武.  中國基礎科學. 2008(01)
[9]太赫茲科學技術的新發(fā)展[J]. 劉盛綱.  中國基礎科學. 2006(01)
[10]THz技術進展[J]. 王秀敏,徐新龍,李福利.  首都師范大學學報(自然科學版). 2003(03)

博士論文
[1]電感電容壓控振蕩器[D]. 唐長文.復旦大學 2004

碩士論文
[1]集成衍射微結(jié)構的THz發(fā)射晶體的研究[D]. 胡曉堃.天津大學 2012



本文編號：3392419