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硼氮摻雜π共軛結構的設計、合成及電子學器件性能研究

發(fā)布時間:2021-08-31 09:16
  與傳統(tǒng)的無機半導體相比,可溶液加工的有機半導體材料具有質(zhì)量輕、成本低、易于加工等優(yōu)點,在近年來受到了廣泛的關注。雖然有機半導體具有以上的這些優(yōu)點,但是最終應用于電子器件中所表現(xiàn)出的性能卻還有待提高。在場效應晶體管中為了能夠得到較高的電子、空穴遷移率,往往要求P型或者N型材料共軛骨架具有良好的平面性以及π-π堆積。而在有機光伏器件中,能量轉換效率主要是與短路電流、開路電壓以及填充因子三個參數(shù)的乘積成正比。為了能夠得到較高的光電轉換效率,要求給體和受體材料除了具有良好的平面性以及π堆積以外,也要具有良好的光吸收能力以及相匹配的能級。這樣一方面能夠最大化的利用太陽的能量,另一方面相匹配的能級也能夠為激子的分離提供足夠的驅(qū)動力。同時,在制備體異質(zhì)結太陽能電池時,給、受體共混膜需要形成良好的相分離結構,從而獲得較高的填充因子。這些問題都可以通過有機半導體分子結構上進行調(diào)控。因此,設計新型有機半導體材料,并對結構進行裁剪從而調(diào)控其器件性能是目前的研究熱點。而構建有機半導體材料最主流的方法是通過富電子單元(D)和缺電子單元(A)共價連接而成。在本文研究中,我們基于分子工程學原理,從兩個方面出發(fā)設計新... 

【文章來源】:華僑大學福建省

【文章頁數(shù)】:96 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

硼氮摻雜π共軛結構的設計、合成及電子學器件性能研究


體異質(zhì)結中的兩種基本的器件結構:(a)正向結構;(b)反向結構

硼氮摻雜π共軛結構的設計、合成及電子學器件性能研究


光電轉換過程示意圖

硼氮摻雜π共軛結構的設計、合成及電子學器件性能研究


給受體能級匹配示意圖


本文編號:3374638

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