現(xiàn)如今在半導(dǎo)體發(fā)光材料中,多孔硅和氧化鋅的應(yīng)用領(lǐng)域是極為廣泛的。因?yàn)檫@兩種材料都有光致發(fā)光現(xiàn)象,并且兩者發(fā)光強(qiáng)度都很高。這也奠定了兩種材料可以在發(fā)光領(lǐng)域有優(yōu)異的實(shí)用前景。多孔硅與氧化鋅相結(jié)合,制備出的多孔硅/氧化鋅復(fù)合材料,可以使兩種材料的發(fā)光性能共同激發(fā)出來(lái)并產(chǎn)生疊加。最終可以形成白光發(fā)射。白光的實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光器件具有相當(dāng)深遠(yuǎn)的意義。本文先是用金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備了多孔硅,再用多孔硅作為襯底,溶膠-凝膠進(jìn)行多孔硅和氧化鋅的復(fù)合。最終用SEM、XRD以及PL譜對(duì)多孔硅/氧化鋅復(fù)合薄膜進(jìn)行測(cè)試。研究結(jié)果表明:（1）金屬輔助化學(xué)刻蝕成功制備出不同參數(shù)的多孔硅襯底,再用溶膠-凝膠成功制備出了不同多孔硅/氧化鋅復(fù)合薄膜。（2）制備多孔硅過(guò)程中沉積溶液銀離子濃度選用0.03mol/L,刻蝕時(shí)間選用20min,多孔硅/氧化鋅復(fù)合薄膜選用800℃退火時(shí),復(fù)合薄膜表面形貌相對(duì)平整,晶粒致密度最佳,衍射峰最強(qiáng)并且出現(xiàn)了c軸擇優(yōu)生長(zhǎng)。（3）所有多孔硅/氧化鋅復(fù)合薄膜在可見(jiàn)光區(qū)都形成了光致發(fā)光帶,呈現(xiàn)白光發(fā)射。制備多孔硅過(guò)程中沉積溶液銀離子濃度選用0.03mol/L,刻蝕時(shí)間選用20min,多孔硅/氧化... 

【文章來(lái)源】：長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)（灰色球?yàn)閆n原子，黑色球?yàn)镺原子）

為刻蝕的原理圖。圖2.2金屬輔助化學(xué)刻蝕制備多孔硅機(jī)理圖化學(xué)反應(yīng)方程式如下所示：陰極反應(yīng)（Si/Ag接觸面）：+++→+h222222OHHOH（2-4）陽(yáng)極反應(yīng)(金屬Ag顆粒與混合溶液交界面）：++++→+4e4hi2i22OSOHS（2-5）OHFSHHFOS2622+→+2i6i（2-6）總的反應(yīng)方程式：↑++→++2622222622HSiFHOHHFOHSi（2-7）2.2金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備多孔硅2.2.1實(shí)驗(yàn)試劑和儀器本實(shí)驗(yàn)選用的為n型單拋硅片，硅片的尺寸為2英寸，電阻為0.001-50（·cm）。制備多孔硅時(shí)所需的藥品如下表所示：表2.1金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備多孔硅所需實(shí)驗(yàn)藥品試劑/藥品名稱化學(xué)式品級(jí)質(zhì)量分?jǐn)?shù)廠商鹽酸HCl分析純37％北京化工廠氫氟酸HF分析純40％北京化工廠過(guò)氧化氫H2O2分析純30％北京化工廠12

SNE-4500M型號(hào)掃描電子顯微鏡儀器圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3356367