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室溫半導(dǎo)體紅外光電探測(cè)器研究進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2021-08-20 20:43
  室溫工作將為光子型紅外探測(cè)開(kāi)辟更廣泛的應(yīng)用,系統(tǒng)整理和分析了從近紅外到長(zhǎng)波紅外的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體探測(cè)器的室溫性能,討論不同材料體系和器件結(jié)構(gòu)的室溫暗電流機(jī)制:其中InAs/GaSb等二類超晶格的短周期帶間級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)以及HgCdTe抑制俄歇過(guò)程的方案在提升中長(zhǎng)波紅外室溫探測(cè)性能方面都顯示出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。這些電子學(xué)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與近年來(lái)亞波長(zhǎng)光子結(jié)構(gòu)增強(qiáng)耦合、降低暗電流的新進(jìn)展相結(jié)合,有望實(shí)現(xiàn)近室溫工作的高靈敏紅外探測(cè)。 

【文章來(lái)源】:紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2020,39(05)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:12 頁(yè)

【部分圖文】:

室溫半導(dǎo)體紅外光電探測(cè)器研究進(jìn)展


圖6?HgCdTe/CdZnTe探測(cè)器的像元平均暗電流(使用冷??屏)與溫度的關(guān)系,其中虛線為Rule-07的理論值??Fig.?6?Average?pixel?dark?current?(with?cold?shield)?vs?tem???perature?for?2.?5?(im?cutoff?HgCdTe/CdZnTe?photodetector,??c?

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高性能短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器研究進(jìn)展[J]. 邵秀梅,龔海梅,李雪,方家熊,唐恒敬,李淘,黃松壘,黃張成.  紅外技術(shù). 2016(08)



本文編號(hào):3354198

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