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基于全息光刻微結(jié)構(gòu)提高OLED出光效率的研究

發(fā)布時間:2021-08-19 22:26
  本論文主要開展了微結(jié)構(gòu)圖形提高有機發(fā)光二極管(OLED)出光效率的研究。實驗結(jié)果表明,通過在OLED的ITO層引入一維光柵、二維光柵以及無序納米圖形,OLED出光效率顯著提高。利用FDTD模擬研究了不同周期和不同刻蝕深度的光柵圖形,對OLED的透過率和電場強度的影響進行了研究。將采用全息光刻和濕法刻蝕方法在ITO襯底上制備的光柵用于橙光發(fā)光器件,研究了光柵對器件發(fā)光性能的影響。器件結(jié)果表明,一維光柵周期為350 nm,刻蝕深度為20 nm時,最大外量子效率提高了29.5%。當(dāng)二維點陣周期為350 nm,刻蝕深度為40 nm時,外量子效率提高了49.5%。當(dāng)二維孔陣周期為350 nm,刻蝕深度為40 nm時,外量子效率提高了61.5%,實驗結(jié)果表明光柵圖形可以顯著地提高OLED器件出光效率。采用金薄膜退火和濕法刻蝕技術(shù)在ITO玻璃片上制備了無序納米圖形,并用于橙光OLED器件中,研究了無序納米圖形對器件發(fā)光性能的影響。器件結(jié)果表明,當(dāng)金薄膜厚度為10 nm,退火溫度為570°C,退火時間為240 s,刻蝕深度30 nm時,外量子效率提高35%,實驗結(jié)果表明無序納米圖形可以顯著地提高OLE... 

【文章來源】:長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】:59 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于全息光刻微結(jié)構(gòu)提高OLED出光效率的研究


OLED顯示器件在照明領(lǐng)域,OLED有超薄、柔性結(jié)構(gòu)、低功耗、顏色可調(diào)、高能效和低成本等優(yōu)點

照明器件,工業(yè)化道路,投入量,照明產(chǎn)品


從 2015 年 OLED 照明燈具開始大量生產(chǎn),OLED 面板作為實際的照明產(chǎn)品,問題主要為成本高、壽命短和功效低等。在 OLED 發(fā)展過程中,大量的研究高它的性能。雖然 OLED 照明產(chǎn)品是不常見的,一些制造商已經(jīng)研發(fā)產(chǎn)出了 O的樣品和一些 OLED 照明燈具,如圖 1.1,1.2 所示。在不遠的將來,預(yù)計 O會作為新一代照明產(chǎn)品進入到照明市場中。

有機發(fā)光器件,器件


直流電壓為 30 V 時器件獲得了更亮的電致發(fā)光(EL)。均勻性差,使電子注入效率較低,造成容易擊穿等弊端[7]。由于當(dāng)時難,器件使用壽命短或驅(qū)動工作電壓較高等不利因素,使前期的 O得進一步的探索和應(yīng)用。但這些研究內(nèi)容為后來 OLED 的發(fā)展奠定。上對有機發(fā)光材料和器件的大范圍研發(fā)從 19 世紀(jì) 80 年代后期開始人研發(fā)出了一種類似三明治型的有機雙層薄膜發(fā)光二極管器件,代技術(shù)轉(zhuǎn)化為使用化紀(jì)元[8,9]。在他們的原始研究中,構(gòu)建了包含電子層的雙層 OLED 器件結(jié)構(gòu),如圖 1.3 所示。由于器件構(gòu)造同時包含/傳輸層,使啟動工作電壓很大程度地降低,進而改善正負(fù)載流子的復(fù) 的外量子效率增加到 1%,功率效率增加到 1.5 lm/w,電壓低于 10 V000 cd/m2。該項研究通過引入雙層器件結(jié)構(gòu),器件性能有兩個方面的極、陰極層的功函數(shù)和有機層的雙向匹配問題,(2)雙層結(jié)構(gòu)允許面遷移到有機層中央,使得發(fā)光層和電極層隔離開,從而有效地使的淬滅。

【參考文獻】:
期刊論文
[1]熱退火處理對氧化銦錫薄膜光電特性的影響[J]. 肖和平,郭冠軍,馬祥柱,張雙翔.  激光與光電子學(xué)進展. 2017(01)
[2]綠色磷光微腔有機電致發(fā)光器件研究[J]. 張春玉,王慶凱,榮華,秦莉.  光學(xué)學(xué)報. 2015(06)

碩士論文
[1]多光束全息光刻制作納米陣列圖形的研究[D]. 葉鎮(zhèn).長春理工大學(xué) 2016
[2]提高有機發(fā)光二極管光萃取效率的研究[D]. 黃賽君.上海交通大學(xué) 2014



本文編號:3352256

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