進(jìn)入21世紀(jì)后,GaN微電子發(fā)展迅速,2011年進(jìn)入工程化。在5G移動(dòng)通信等新一代應(yīng)用的牽引下,GaN微電子的創(chuàng)新更加活躍,正開(kāi)始步入高新產(chǎn)業(yè)的發(fā)展階段。介紹了GaN微電子在新器件結(jié)構(gòu)與工藝、微波混合集成、微波單片集成電路（MMIC）、集成電路和異構(gòu)集成等方面的最新進(jìn)展,主要包括新的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)、新的器件結(jié)構(gòu)和工藝、大尺寸Si基器件、高導(dǎo)熱金剛石基器件、新的電路拓?fù)洹⑿碌?D集成技術(shù)和可靠性研究等,以及在微波電子學(xué)和功率電子學(xué)兩大應(yīng)用領(lǐng)域的最新成果。分析和評(píng)價(jià)了SiC基、Si基GaN微電子等的發(fā)展態(tài)勢(shì)。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：17 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 GaN新器件結(jié)構(gòu)、工藝和可靠性
    1.1 SiC基的射頻D模GaN HEMT
    1.2 Si基的射頻D模GaN HEMT
    1.3 Si基E模功率GaN HEMT
    1.4 Si基E模功率GaN HEMT的可靠性
2 GaN 微波電子學(xué)
    2.1 4G/5G應(yīng)用的微波混合集成電路與MMIC
    2.2 衛(wèi)星應(yīng)用的GaN微波混合集成電路與MMIC
    2.3 電子應(yīng)用的GaN微波混合集成電路與MMIC
        2.3.1 GaN PA
        2.3.2 GaN振蕩器、低噪聲放大器和控制MMIC
    2.4 Si基GaN微波混合集成電路與MMIC


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種結(jié)構(gòu)緊湊性能優(yōu)良的微波功率合成系統(tǒng)[J]. 崔富義,劉富海,方波.  電子器件. 2021(01)
[2]化合物半導(dǎo)體企業(yè)HWHX的藍(lán)海戰(zhàn)略研究[J]. 蘇春,周中林,李春江.  西南科技大學(xué)學(xué)報(bào)(哲學(xué)社會(huì)科學(xué)版). 2021(01)
[3]C波段高效率高線性GaN MMIC功率放大器[J]. 喬明昌,張志國(guó),王衡.  半導(dǎo)體技術(shù). 2021(02)
[4]5G通信基站用化合物半導(dǎo)體射頻器件應(yīng)用場(chǎng)景及發(fā)展[J]. 王強(qiáng),宋學(xué)峰.  電子技術(shù)與軟件工程. 2020(10)



本文編號(hào)：3319114