基于機(jī)械可控裂結(jié)技術(shù)的單分子尺度電輸運(yùn)量子效應(yīng)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-07-29 16:50
目前硅基器件小型化即將達(dá)到其性能極限,為實(shí)現(xiàn)分子器件替代硅基器件,研究單分子尺度電輸運(yùn)行為十分必要?焖侔l(fā)展的機(jī)械可控裂結(jié)技術(shù)(Mechanically Controllable Break Junction,MCBJ)為研究單分子尺度的電輸運(yùn)性質(zhì)創(chuàng)造了條件。本論文利用MCBJ技術(shù)展開(kāi)了以下兩個(gè)工作,主要研究?jī)?nèi)容及成果如下:1.雜原子摻雜對(duì)量子干涉效應(yīng)的調(diào)控研究在納米尺度的分子器件電輸運(yùn)性質(zhì)不再遵循歐姆定律,電子輸運(yùn)過(guò)程中能級(jí)或傳輸途徑不同的電子量子波函數(shù)的干涉現(xiàn)象不容忽視。為進(jìn)一步完善單分子尺度量子干涉效應(yīng)理論,本課題將N原子引入已知具有量子干涉的寡聚苯乙炔(Oligophenylene Ethynylene,OPE)體系,基于MCBJ分子電導(dǎo)測(cè)試及密度泛函理論(Density functional theory,DFT)計(jì)算的結(jié)果表明,通過(guò)引入雜原子獲得空間分離的電導(dǎo)通路,實(shí)現(xiàn)相消量子干涉調(diào)控。2.碳基分子器件的構(gòu)筑及電輸運(yùn)研究碳基分子器件被認(rèn)為是取代硅基電子器件的可能選擇,因此對(duì)全碳電子學(xué)的研究十分有必要。在裂結(jié)技術(shù)中常常使用金屬電極捕捉目標(biāo)分子構(gòu)筑分子器件,但金屬電極往往帶有原...
【文章來(lái)源】:廈門(mén)大學(xué)福建省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1.?STM-BJ技術(shù)工作原理示意圖[8]??
1.2.3機(jī)械可控裂結(jié)技術(shù)??MCB_I技術(shù)是另一種常用的單分子電學(xué)性能測(cè)試技術(shù)。早在1985年L?W.??Ekin等人利用一套三點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)裝置(如圖1-3)構(gòu)筑原子點(diǎn)接觸以及實(shí)現(xiàn)金屬對(duì)??間隙精確控制[14]。他們將Sn-Nb金屬線固定于劃有裂痕的玻璃板上,在玻璃板??中下方通過(guò)頂桿施加一個(gè)向上的力,使得玻璃板彎曲,帶動(dòng)Sn-Nb金屬線斷裂,??得到納米尺度間隙的金屬電極對(duì)。??FRACTURED???一?S4LVEP?PAINT??F'^T?HT?C0〉TACTS???/??GLUE?JOINT—"7?一,一■=4 ̄-GLASS??丨?f?丨?COVER?SUP??/?8EN0ING??/?FORCE?\??-FREE"?COVER?0ENCHNG?QLASS??SLIP?FOW?BEAM??CONCENTRATING??STRAIN??圖1-3.三點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)裝置示意圖[14]??1992年Muller等人首次將三點(diǎn)
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Quantum interference effect in the charge transport through single-molecule benzene dithiol junction at room temperature:An experimental investigation[J]. Guogang Yang,Hao Wu,Junying Wei,Jueting Zheng,Zhaobin Chen,Junyang Liu,Jia Shi,Yang Yang,Wenjing Hong. Chinese Chemical Letters. 2018(01)
本文編號(hào):3309695
【文章來(lái)源】:廈門(mén)大學(xué)福建省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1.?STM-BJ技術(shù)工作原理示意圖[8]??
1.2.3機(jī)械可控裂結(jié)技術(shù)??MCB_I技術(shù)是另一種常用的單分子電學(xué)性能測(cè)試技術(shù)。早在1985年L?W.??Ekin等人利用一套三點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)裝置(如圖1-3)構(gòu)筑原子點(diǎn)接觸以及實(shí)現(xiàn)金屬對(duì)??間隙精確控制[14]。他們將Sn-Nb金屬線固定于劃有裂痕的玻璃板上,在玻璃板??中下方通過(guò)頂桿施加一個(gè)向上的力,使得玻璃板彎曲,帶動(dòng)Sn-Nb金屬線斷裂,??得到納米尺度間隙的金屬電極對(duì)。??FRACTURED???一?S4LVEP?PAINT??F'^T?HT?C0〉TACTS???/??GLUE?JOINT—"7?一,一■=4 ̄-GLASS??丨?f?丨?COVER?SUP??/?8EN0ING??/?FORCE?\??-FREE"?COVER?0ENCHNG?QLASS??SLIP?FOW?BEAM??CONCENTRATING??STRAIN??圖1-3.三點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)裝置示意圖[14]??1992年Muller等人首次將三點(diǎn)
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Quantum interference effect in the charge transport through single-molecule benzene dithiol junction at room temperature:An experimental investigation[J]. Guogang Yang,Hao Wu,Junying Wei,Jueting Zheng,Zhaobin Chen,Junyang Liu,Jia Shi,Yang Yang,Wenjing Hong. Chinese Chemical Letters. 2018(01)
本文編號(hào):3309695
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