4H-SiC同質(zhì)外延材料的拉曼光譜研究
發(fā)布時(shí)間：2021-07-20 08:51
作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,碳化硅（SiC）材料具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高和擊穿電場(chǎng)高等性質(zhì),在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì),是半導(dǎo)體材料研究的熱點(diǎn)。SiC材料外延層的質(zhì)量對(duì)于器件的制備與器件性能有重要影響。異質(zhì)外延生長(zhǎng)SiC材料存在晶格失配和內(nèi)部缺陷情況,限制了功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用。同質(zhì)外延生長(zhǎng)的SiC材料能夠更好改善這一情況,但由于同質(zhì)外延生長(zhǎng)的4H-SiC材料的外延層與基底為同質(zhì)材料,較難區(qū)分外延層與基底信號(hào),外延層質(zhì)量分析較困難。本文通過多波長(zhǎng)紫外和橫截面拉曼散射光譜,有效研究了一系列同質(zhì)外延生長(zhǎng)的4H-SiC薄膜不同晶層的晶體質(zhì)量和載流子特性。此外,通過偏振拉曼光譜研究了 4H-SiC材料的各向異性。本文主要研究?jī)?nèi)容如下:（1）利用不同波長(zhǎng)紫外激光的穿透性質(zhì),采用266nm,325nm,514nm激光激發(fā),通過拉曼散射光譜,分析了不同硅碳比生長(zhǎng)的同質(zhì)外延4H-SiC薄膜表面層、中間層和整個(gè)外延層的質(zhì)量特性。利用常被忽視的禁忌模E1（TO）特性,結(jié)合空間相關(guān)模型,得到了樣品各層的晶體質(zhì)量信息。研究...
【文章來源】：廣西大學(xué)廣西壯族自治區(qū) 211工程院校
【文章頁數(shù)】：66 頁
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
圖１－３六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)圖??Ｆｉｇ．?１－２?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｍｃｔｉｉｒｅ?ｏｆ?ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｗｕｒｔｚｉｔｅ??
直至Ｉ９６０年后由于激光技術(shù)而發(fā)展。激光的高亮度、方向性和偏振性等特性成為理想??光源，拉曼光譜成為重要的探測(cè)手段。??如圖１－４所示，拉曼散射光譜的基本原理，通過經(jīng)典波函數(shù)理論解釋，設(shè)散射物分??子原來處于基態(tài)，實(shí)線和虛線分別表示實(shí)的和虛的能級(jí)躍遷。當(dāng)入射光照射時(shí)，其激發(fā)??７??
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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于CVD方法生長(zhǎng)在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）[J]. 陳帥,謝燈,丘志仁,TIN Chin-che,王洪朝,梅霆,萬玲玉,馮哲川. 光散射學(xué)報(bào). 2016(02)
[2]Temperature Dependence of Raman Scattering in 4H-SiC Films under Different Growth Conditions[J]. 王洪朝,何依婷,孫華陽,丘志仁,謝燈,梅霆,Tin C.C.,馮哲川. Chinese Physics Letters. 2015 (04)
[3]Raman tensor of AlN bulk single crystal[J]. Wei Zheng,Ruisheng Zheng,Feng Huang,Honglei Wu,Fadi Li. Photonics Research. 2015(02)
[4]寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 張波,鄧小川,張有潤(rùn),李肇基. 中國(guó)電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào). 2009(02)
[5]ZnO晶體的偏振拉曼散射的深入研究[J]. 劉潔,蔣毅堅(jiān). 光散射學(xué)報(bào). 2007(04)
[6]引人注目的SiC材料、器件和市場(chǎng)[J]. 魯勵(lì). 世界產(chǎn)品與技術(shù). 2003(12)
[7]拉曼光譜方法研究SiC晶體的晶型[J]. 馮敏,王玉芳,郝建民,藍(lán)國(guó)祥. 光散射學(xué)報(bào). 2003(03)
[8]SiC單晶生長(zhǎng)[J]. 劉喆,徐現(xiàn)剛. 材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2003(02)
[9]寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC研究進(jìn)展及其應(yīng)用[J]. 王玉霞,何海平,湯洪高. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2002(03)
碩士論文
[1]碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研制[D]. 李留臣.西安理工大學(xué) 2002
本文編號(hào)：3292520
【文章來源】：廣西大學(xué)廣西壯族自治區(qū) 211工程院校
【文章頁數(shù)】：66 頁
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
圖１－３六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)圖??Ｆｉｇ．?１－２?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｍｃｔｉｉｒｅ?ｏｆ?ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｗｕｒｔｚｉｔｅ??
直至Ｉ９６０年后由于激光技術(shù)而發(fā)展。激光的高亮度、方向性和偏振性等特性成為理想??光源，拉曼光譜成為重要的探測(cè)手段。??如圖１－４所示，拉曼散射光譜的基本原理，通過經(jīng)典波函數(shù)理論解釋，設(shè)散射物分??子原來處于基態(tài)，實(shí)線和虛線分別表示實(shí)的和虛的能級(jí)躍遷。當(dāng)入射光照射時(shí)，其激發(fā)??７??
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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于CVD方法生長(zhǎng)在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）[J]. 陳帥,謝燈,丘志仁,TIN Chin-che,王洪朝,梅霆,萬玲玉,馮哲川. 光散射學(xué)報(bào). 2016(02)
[2]Temperature Dependence of Raman Scattering in 4H-SiC Films under Different Growth Conditions[J]. 王洪朝,何依婷,孫華陽,丘志仁,謝燈,梅霆,Tin C.C.,馮哲川. Chinese Physics Letters. 2015 (04)
[3]Raman tensor of AlN bulk single crystal[J]. Wei Zheng,Ruisheng Zheng,Feng Huang,Honglei Wu,Fadi Li. Photonics Research. 2015(02)
[4]寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 張波,鄧小川,張有潤(rùn),李肇基. 中國(guó)電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào). 2009(02)
[5]ZnO晶體的偏振拉曼散射的深入研究[J]. 劉潔,蔣毅堅(jiān). 光散射學(xué)報(bào). 2007(04)
[6]引人注目的SiC材料、器件和市場(chǎng)[J]. 魯勵(lì). 世界產(chǎn)品與技術(shù). 2003(12)
[7]拉曼光譜方法研究SiC晶體的晶型[J]. 馮敏,王玉芳,郝建民,藍(lán)國(guó)祥. 光散射學(xué)報(bào). 2003(03)
[8]SiC單晶生長(zhǎng)[J]. 劉喆,徐現(xiàn)剛. 材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2003(02)
[9]寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC研究進(jìn)展及其應(yīng)用[J]. 王玉霞,何海平,湯洪高. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2002(03)
碩士論文
[1]碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研制[D]. 李留臣.西安理工大學(xué) 2002
本文編號(hào)：3292520
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