發(fā)布時間：2021-07-08 12:47

　　提出了應(yīng)用0.13μm SiGe BiCMOS工藝設(shè)計的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位數(shù)控移相器、低噪聲放大器、功率放大器和收發(fā)控制開關(guān)都被集成在單片上。首次將分布式結(jié)構(gòu)應(yīng)用在多功能芯片的小信號放大器設(shè)計中,而且將堆疊式結(jié)構(gòu)的功放集成在收發(fā)芯片中,此兩款多功能芯片均有著帶寬寬、增益高、輸出功率大等優(yōu)點(diǎn)。其中X波段收發(fā)芯片接收、發(fā)射增益分別達(dá)到25 d B、22 d B,發(fā)射輸出P-1d B達(dá)到28 d Bm;Ka波段收發(fā)芯片接收、發(fā)射增益分別達(dá)到17 d B、14 d B,發(fā)射輸出P-1 d B達(dá)到20.5 d Bm。此兩款應(yīng)用硅基工藝設(shè)計的多功能芯片指標(biāo)均達(dá)到國際先進(jìn)水平,為X和Ka波段相控陣系統(tǒng)的小型化和低成本化提供了良好的條件。 

【文章來源】：微波學(xué)報. 2016,32(06)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
引言
1 系統(tǒng)設(shè)計
2 X、Ka波段多功能芯片電路設(shè)計
3 芯片測試結(jié)果
4 結(jié)論



本文編號：3271599