因為CMOS集成電路中,失調(diào)電壓及低頻噪聲對運放的性能影響比較嚴(yán)重,霍爾信號輸出通常在微伏至毫伏之間,而普通的運算放大器失調(diào)就達(dá)到幾個毫伏甚至十幾個毫伏,所以相對微弱的霍爾信號而言,這些非理想因素會對霍爾信號產(chǎn)生干擾,嚴(yán)重時甚至覆蓋所有可用信號,因此降低電路的失調(diào)及噪聲影響是信號調(diào)理電路必須達(dá)到的目標(biāo)。本文主要研究霍爾傳感器接口電路的設(shè)計與信號調(diào)理。作為傳感器常用的接口電路,儀表運放具有廣泛的應(yīng)用,儀表運放通常用于高共模電壓下放大一個小的差分信號的場合�；赾adence 0.18μm CMOS工藝庫,設(shè)計一個獨立的霍爾傳感器信號調(diào)理電路,采用旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)用于霍爾傳感器的信號處理降低失調(diào)、噪聲影響。在全面分析電路基本原理的基礎(chǔ)上設(shè)計一種低失調(diào)、高增益、低功耗結(jié)構(gòu)的電路。本文設(shè)計的芯片面積為245μm×321μm,動態(tài)功耗為2.72mW,增益為200V/V,共模抑制比為120dB,線性回歸系數(shù)為99.9%,總諧波失真小于0.1%。 

【文章來源】：黑龍江大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】：88 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

霍爾效應(yīng)原理圖

圖 2-2 惠斯通電橋電路g. 2-2 Wheatstone bridge cir性阻率會影響霍爾元件出一定的變化趨勢，都會下降[31]。常說的電阻呈負(fù)溫度特性，復(fù)雜，因為其包含兩nDNWeffsquNtR,1=；

甚至微伏級，所以對電路噪聲及失調(diào)此在電路設(shè)計中噪聲、共模抑制比、失調(diào)、靈考慮的因素[34]。IA 屬于一種特殊的差動運放，的基本要求。放大器表運放如圖 2-3 所示，A1、A2 同樣作為緩沖器差分信號加在電阻 R1 上產(chǎn)生信號電流，電流鏡A3 為輸出緩沖器。電流模式儀表放大器的增益儀表運放的共模抑制比受電流鏡的匹配程度決，除此之外整個 IA 的失調(diào)、線性度、增益誤差由于其可工作于電壓模式以及電流模式，該拓?fù)�、高靈活性及高通用性的有源器件。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]基于四相旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)的CMOS垂直型霍爾傳感器研究與設(shè)計[D]. 陳小青.南京郵電大學(xué) 2015
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本文編號：3259638