發(fā)布時間：2021-06-26 06:43

　　構建了一個半徑為0.05μm的圓柱體,用于模擬單粒子輻射功率VDMOS器件的粒子徑跡,且圓柱體內新生電子和新生空穴的數(shù)目沿圓柱體的半徑方向呈高斯分布。考慮到功率VDMOS器件的SEB效應與寄生NPN具有直接關系,提出了一種畸變NPN模型,并通過合理假設,推導出功率VDMOS器件在單粒子輻射下安全漏源偏置電壓的解析式。結果表明,使用解析式計算得到的SEB閾值與TCAD仿真結果吻合較好。該模型可被廣泛用于功率VDMOS器件SEB效應的分析和評價,為抗輻射功率VDMOS器件的選型及評價提供了一種簡單和廉價的方法。 

【文章來源】：微電子學. 2020,50(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 描述SEB效應的畸變NPN模型
    1.1 重粒子輻射半導體材料的圓柱體模型
    1.2 寄生NPN晶體管CB結的畸變模型
2 畸變NPN晶體管CB結耗盡區(qū)電場
    2.1 輻射前寄生NPN晶體管CB結耗盡區(qū)電場
    2.2 輻射后寄生NPN晶體管CB結耗盡區(qū)電場
3 驗證與討論
4 結 論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]SEGR- and SEB-hardened structure with DSPSOI in power MOSFETs[J]. Zhaohuan Tang,Xinghua Fu,Fashun Yang,Kaizhou Tan,Kui Ma,Xue Wu,Jiexing Lin.  Journal of Semiconductors. 2017(12)
[2]功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技術研究進展[J]. 唐昭煥,楊發(fā)順,馬奎,譚開洲,傅興華.  微電子學. 2017(03)
[3]VDMOSFET二次擊穿效應的研究[J]. 張麗,莊奕琪,李小明,姜法明.  現(xiàn)代電子技術. 2005(04)



本文編號：3250841