在過去50年期間,光刻技術是促進先進集成電路設計及其器件更新?lián)Q代的核心技術之一,每一代新的集成電路種類的出現(xiàn),總是以光刻工藝實現(xiàn)更小特征尺寸為主要技術標志的。半導體集成電路技術一直沿著摩爾定律預言的速度迅速發(fā)展,其戰(zhàn)略核心就是通過工藝技術科學研究上的創(chuàng)新實現(xiàn)半導體器件關鍵尺寸的不斷縮小。光刻技術是實現(xiàn)器件小型化戰(zhàn)略的關鍵所在,但在發(fā)展的過程中光刻的成本與工藝復雜度也是與日俱增。目前,工業(yè)界、學術界及其他許多科研院所采用193nm/EUV光刻,并結合浸沒式光刻技術、雙（多）重圖形曝光技術,193nm/EUV光刻技術已經(jīng)將半導體技術節(jié)點延伸到32nm、20nm、16nm、14nm、10nm,甚至到7nm量產(chǎn),并繼續(xù)推進了5/3nm研發(fā),常規(guī)的光刻技術幾乎到達了其物理極限。然而,極高的工藝研發(fā)成本、工藝復雜性、光刻本身的物理限制以及許多光刻膠材料本身設計的缺陷等,都制約著現(xiàn)有光刻技術的進一步發(fā)展,尤其在面臨推進越來越小納米尺寸的圖形化制作時存在很大的局限性以及缺陷性,工業(yè)界和學術界和其他科研院所正急需一種能兼顧精度與成本的解決方案。國際半導體技術藍圖（ITRS）在2013年提出,下一代光刻技... 

【文章來源】：貴州大學貴州省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：112 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

定向自組裝概念的說明圖：即為誘導結構加上BCP材料的自組裝

圖 2. 二嵌段共聚物與三嵌段共聚物示意圖嵌段共聚物的分子移動在高濃度溶劑蒸汽環(huán)境，或高溫這種 非場 條件下能夠極大的增強，由于嵌段共聚物需要共價鍵相連接的兩個嵌段化學性質不同，嵌段共聚物分子會自發(fā)移動以達到熱平衡狀態(tài)并達到有序的周期納米結構；在外

圖 3. 二嵌段共聚物自組裝結構示意圖一般情況下，當兩種嵌段的體積分數(shù)相等，即均為 0.5 時，嵌段共聚物可以自組裝成圖三中的（L）結構，當它們體積分數(shù)比在約 6.5:3.5 時，則更容易自組裝形成圖 1.2 中的柱狀相圖形結構（C,C’）。


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