發(fā)布時間：2021-06-22 07:52

　　二維過渡金屬硫族化合物（TMDs）因其層數(shù)依賴的電子能帶結(jié)構(gòu)和易于組裝的特點受到極大關(guān)注。MoS₂材料作為其中最具代表性的一員,具有1.2-1.9 eV的可見光帶隙以及優(yōu)異的光電子學(xué)特性,被廣泛用于光電探測器、場效應(yīng)晶體管、存儲器和邏輯電路等功能器件的研究。然而,由缺陷態(tài)導(dǎo)致的電荷陷阱效應(yīng),以及由此產(chǎn)生的持續(xù)光電導(dǎo)（PPC）現(xiàn)象嚴(yán)重阻礙了其實際應(yīng)用。近年來,大量研究表明,通過合理構(gòu)筑二維異質(zhì)結(jié)不僅能夠改善TMDs的性質(zhì)和器件性能,還能開發(fā)新的功能,拓展其應(yīng)用領(lǐng)域。在此背景下,本論文選擇有機平面型小分子酞菁鋅（ZnPc）與MoS₂復(fù)合,構(gòu)筑MoS₂/ZnPc無機/有機范德華異質(zhì)結(jié),利用不同的缺陷電荷陷阱效應(yīng)系統(tǒng)探索其光電性能與存儲性能,主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:1.通過CVD合成單層MoS₂,以簡單液相浸泡法將ZnPc分子組裝至MoS₂器件表面,制備出MoS₂/ZnPc范德華異質(zhì)結(jié),研究了器件的光電性能,并清晰地揭示了ZnPc分子對MoS₂

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：90 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

過渡金屬硫族化合物等一些典型二維層狀材料結(jié)構(gòu)

在眾多二維材料中，以單層形式分離的 TMDs 是目前研究最多的層狀化合物。當(dāng)這類層狀材料的層數(shù)逐漸減少直至單層的過程中，其電子結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)往往發(fā)生很大的改變，比如帶隙寬度顯著增大、間接帶隙向直接帶隙轉(zhuǎn)變、以及晶格振動能的改變等等。由于 TMDs 不同于塊體的維度限制使其具有獨特的電子結(jié)構(gòu)，并引發(fā)量子限域效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)等新奇的物理現(xiàn)象，在光電探測器[8, 9]、場效應(yīng)晶體管[10]和存儲器[11]方面具有廣闊的應(yīng)用前景。1.2 二維 MoS2材料的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及應(yīng)用1.2.1 MoS2的晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)（1）MoS2的晶體結(jié)構(gòu)

華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文兩個 d 電子恰好填滿最低能級dz2軌道而具有半導(dǎo)體和反磁性特征[15]。相比于金屬，硫族元素對電子結(jié)構(gòu)的影響較小，但仍有這樣一個趨勢：隨著硫族元素原子序增加，d 帶增寬，且?guī)断鄳?yīng)減小，這與文獻報道的一致[16]。


本文編號：3242459