伴隨著電力電子技術的發(fā)展和集成電路制造工藝的不斷進步和快速的發(fā)展,作為電力電子技術的重要基礎的功率半導體的應用范圍也在不斷的擴展,廣泛應用在電網、家用電器、交通運輸、通信和國防等戰(zhàn)略性產業(yè)和社會生活的方方面面。經過數十年的發(fā)展,功率器件經歷了以雙極型三極管（BJT）和可關斷晶閘管（GTO）為代表的流控器件、以功率MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為代表的壓控器件再到以新型半導體材料為基礎的Si C和Ga N等新型功率器件的發(fā)展歷程,與之相應的是功率驅動電路也從最早的由分立器件搭建在PCB上的板級電路發(fā)展為現在的將驅動電路和功率器件集成到一起的智能功率集成電路（SPIC）。相信在日益強調節(jié)能環(huán)保的今天,功率半導體一定能得到更快的發(fā)展和更加廣闊的應用前景。本文所涉及的三相無刷電機驅動電路是基于華潤上華（CSMC）1μm 600V BCD工藝平臺進行設計的。在該芯片的接口電路模塊中引入了施密特觸發(fā)器,從而實現了對3.3V CMOS電平和5V TTL電平兼容的設計要求,電源電壓幅值范圍為10²0V,直流供電電壓最高可達600V。集成了欠壓保護、過流保護、過溫保護... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：70 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

010-2017年中國IGBT需求情況

IGBT等效電路圖

IGBT簡化等效電路圖

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]高壓IGBT功率模塊瞬態(tài)直通模型與關鍵技術研究[D]. 華慶.電子科技大學 2015
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本文編號：3228368