專用集成電路技術在高速數據傳輸系統(tǒng)與科學級CCD成像系統(tǒng)中的研究
發(fā)布時間:2021-06-08 18:53
專用集成電路(Application-Specific Integrated Circuit,ASIC)是針對特殊用戶或者特定電子系統(tǒng)的需求而專門設計、制造的集成電路,它一般用在普通商業(yè)芯片無法滿足需求的地方,比如高輻照環(huán)境的高能粒子物理實驗、空間緊湊的天文成像系統(tǒng)等。在高能粒子物理實驗領域,CERN為ATLAS/CMS探測器開發(fā)了抗輻照的高速數據收發(fā)芯片——低功耗千兆數據收發(fā)器(LpGBTX),用來傳輸前端電子學產生的海量數據。它采用商業(yè)65 nm CMOS工藝設計,數據帶寬可達10.24 Gb/s,總劑量效益達到200 Mrad.在此高速數據傳輸芯片中,時序的裕量變得非常緊張,良好的時序關系是數據傳輸正確的基本保證,為此開展了時序相位高精度調節(jié)的研究工作,包括數據相位調整和時鐘相位調整。為了保證前端電子學數據能被LpGBTX正確地采樣到,研究設計了 Phase-Aligner用來移動數據的相位,使之與時鐘對齊;研究設計了 Phase-Shifter,將輸入時鐘在360°范圍內,以48.8 ps的精度調節(jié)后輸出給前端電子學,做系統(tǒng)間時鐘同步用。Phase-Aligner和Phase-...
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數】:129 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1世界上首款集成電路??
電路所能容納的晶體管數量從最初的數十個發(fā)展到目前的數十億個,并且仍??在高速增長中,其增長的規(guī)律基本符合摩爾定律(Moore’sLaw):集成電路中晶??體管的數量每隔18個月翻一番[8]。晶體管數量的變化趨勢如圖1.2所示。??Transistors?P?r?Di???1〇???10,C?512M?1G.26?*??_?Memory?256M?發(fā)參??Microprocessor?#??16M?PwthBtf?4??Ptntkmf?lii??1M?.?發(fā).?PentiunP?n??10s?7ccK?’?Ptrtkinf??10S??If???^?^??i〇<?,潑鏤?—??%?80明??價?4004?^????1〇2?IC?Performance?to?Gordon?Moore;s?Prediction??10、.,????10°????*60?’65?70?75?’80?,85?’90?95?,00?,05?,10??圖1.2晶體管數量變化趨勢??1C集成規(guī)模的增長得益于MOS管尺寸的不斷縮小,其特征尺寸從早期的幾??微米,發(fā)展到如今的10iim以下,己經快逼近硅基半導體的極限,變化趨勢如圖??1.3所示。尺寸的縮小也基本遵循摩爾定律:每兩年左右更新一代
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【參考文獻】:
期刊論文
[1]CCD噪聲分析及處理技術[J]. 許秀貞,李自田,薛利軍. 紅外與激光工程. 2004(04)
本文編號:3219007
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數】:129 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1世界上首款集成電路??
電路所能容納的晶體管數量從最初的數十個發(fā)展到目前的數十億個,并且仍??在高速增長中,其增長的規(guī)律基本符合摩爾定律(Moore’sLaw):集成電路中晶??體管的數量每隔18個月翻一番[8]。晶體管數量的變化趨勢如圖1.2所示。??Transistors?P?r?Di???1〇???10,C?512M?1G.26?*??_?Memory?256M?發(fā)參??Microprocessor?#??16M?PwthBtf?4??Ptntkmf?lii??1M?.?發(fā).?PentiunP?n??10s?7ccK?’?Ptrtkinf??10S??If???^?^??i〇<?,潑鏤?—??%?80明??價?4004?^????1〇2?IC?Performance?to?Gordon?Moore;s?Prediction??10、.,????10°????*60?’65?70?75?’80?,85?’90?95?,00?,05?,10??圖1.2晶體管數量變化趨勢??1C集成規(guī)模的增長得益于MOS管尺寸的不斷縮小,其特征尺寸從早期的幾??微米,發(fā)展到如今的10iim以下,己經快逼近硅基半導體的極限,變化趨勢如圖??1.3所示。尺寸的縮小也基本遵循摩爾定律:每兩年左右更新一代
電路所能容納的晶體管數量從最初的數十個發(fā)展到目前的數十億個,并且仍??在高速增長中,其增長的規(guī)律基本符合摩爾定律(Moore’sLaw):集成電路中晶??體管的數量每隔18個月翻一番[8]。晶體管數量的變化趨勢如圖1.2所示。??Transistors?P?r?Di???1〇???10,C?512M?1G.26?*??_?Memory?256M?發(fā)參??Microprocessor?#??16M?PwthBtf?4??Ptntkmf?lii??1M?.?發(fā).?PentiunP?n??10s?7ccK?’?Ptrtkinf??10S??If???^?^??i〇<?,潑鏤?—??%?80明??價?4004?^????1〇2?IC?Performance?to?Gordon?Moore;s?Prediction??10、.,????10°????*60?’65?70?75?’80?,85?’90?95?,00?,05?,10??圖1.2晶體管數量變化趨勢??1C集成規(guī)模的增長得益于MOS管尺寸的不斷縮小,其特征尺寸從早期的幾??微米,發(fā)展到如今的10iim以下,己經快逼近硅基半導體的極限,變化趨勢如圖??1.3所示。尺寸的縮小也基本遵循摩爾定律:每兩年左右更新一代
【參考文獻】:
期刊論文
[1]CCD噪聲分析及處理技術[J]. 許秀貞,李自田,薛利軍. 紅外與激光工程. 2004(04)
本文編號:3219007
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